mr-PosEBR Serie

E-Beam Lithographie

Positivresist-Serie für die Elektronenstrahlbelichtung

Merkmale

  • Hochempfindlich
  • Hohes Auflösungsvermögen (< 50 nm)
  • Hohe Trockenätzbeständigkeit
  • Entwicklung in organischen Lösemitteln 

Anwendungen

  • Ätzmaske   

Resist

Schichtdicke @ 3000 rpm

mr-PosEBR 0.05

50 nm

mr-PosEBR 0.1

100 nm

mr-PosEBR 0.3

300 nm

Sie erhalten unsere Positiv-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1.0 l • 2.5 l • 5.0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner: • 0.5 l • 1.0 l (Prozesschemikalien)

ma-N 2400 Serie & mr-EBL 6000 Serie

Elektronenstrahl-/ Tief-UV-Lithographie

Konventionelle Strukturübertragungsprozesse

Merkmale ma-N 2400 Serie für die Elektronenstrahl-  und Tief-UV Lithographie

  • Hohes Auflösungsvermögen (~ 40 - 50 nm)
  • Wässrig-alkalisch entwickelbar
  • Hohe thermische Stabilität der Resiststrukturen
  • Hohe Nass- und Trockenätzbeständigkeit
  • Leicht entfernbar

Merkmale mr-EBL 6000 Serie für die Elektronenstrahllithographie

  • Hohes Auflösungsvermögen (~ 40 - 50 nm)
  • Ausgezeichnete thermische Stabilität der Resiststrukturen
  • Hohe Nass- und Trockenätzbeständigkeit
  • Post exposure bake (PEB) erforderlich

Anwendungen

  • Ätzmaske

ma-N 2400

Resist

Schichtdicke @ 3000 rpm

ma-N 2401

0,1 µm

ma-N 2403

0,3 µm 

ma-N 2405

0,5 µm 

ma-N 2410

1.0 µm 

mr-EBL 6000

Resist

Schichtdicke @ 3000 rpm

mr-EBL 6000.1

0,1 µm 

mr-EBL 6000.3

0,3 µm 

mr-EBL 6000.5

0,5 µm 

Sie erhalten unsere Negativ-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1,0 l • 2,5 l • 5,0 l (Prozesschemikalien)

HMDS Primer: • 100 ml • 0,25 l • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner: • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)