mr-DWL Serie

Laserdirektschreiben @ 405 nm

Permanentanwendung oder konventionelle Strukturübertragungsprozesse

Merkmale

  • Empfindlich oberhalb 400 nm, für das Direktlaserschreiben @ 405 nm
  • Hohe thermische und chemische Stabilität
  • Hohe Trocken- und Nassätzstabilität

Anwendungen

  • Schnelles und kontaktloses Prototyping durch
  • Permanentanwendungen: Master- und Templateherstellung, PDMS-Abformung 
  • Strukturübertragung: Ätzmaske, Galvanikform
     

Resist

Schichtdicke

mr-DWL 5

5,0 µm @ 3000 rpm

mr-DWL 40

40 µm @ 2000 rpm

mr-DWL 100 100 µm @ 1500 rpm

Sie erhalten unsere Negativ-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1,0 l • 2,5 l • 5,0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner: • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

ma-P 1275, ma-P 1275HV

UV-Lithographie

ma-P 1275 und ma-P 1275HV sind hochviskose Positiv-Photoresiste für Schicktdicken bis 60 μm

Merkmale

  • Breitband-, g-, h- und i-Linien-Belichtung
  • Hohe Strukturstabilität in sauren und basischen Galvanikbädern
  • Hohe Nass- und Trockenätzstabilität
  • Gute Temperaturbeständigkeit der Resiststrukturen erreichbar
  • Wässrig-alkalische Entwicklung
  • Bis zu 87° Kanstensteilheit mit Mask Aligner Breitbandbelichtung
  • Geeignet für Reflow

Anwendungen

  • Form für die Galvanik – z.B. für Mikrospulen, Mikrofedern
  • Herstellung Mikro-optischer Komponenten – z.B. Mikro-Linsen durch Strukturübertragung nach Reflow von Resiststrukturen
  • Ätzmaske für Metall- und Halbleiter-Substrate
  • Maske für die Ionenimplantation
     
Resist

Schichtdicke @ 3000 rpm

ma-P 1275

7,5 µm

ma-P 1275HV

11,0 µm

Sie erhalten unsere Positiv-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1,0 l • 2,5 l • 5,0 l (Prozesschemikalien)

HMDS Primer: • 100 ml • 0,25 l • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner: • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

ma-P 1200

UV-Lithographie

ma-P 1200 ist eine Positiv-Photoresist-Serie für die Anwendung in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik. Die Resiste sind in einer Reihe unterschiedlicher Viskositäten erhältlich für Schichtdicken von 0,3 – 40 μm in einem Schleuderbeschichtungsschritt

Merkmale

  • Breitband-, g-, h- und i-Linien-Belichtung
  • Gute Strukturstabilität in Nassätzprozessen und sauren und alkalischen Galvanikbädern
  • Hohe Stabilität in Trockenätzprozesse z.B. mit CHF3, CF4, SF6
  • Wässrig-alkalische Entwicklung

Anwendungen

  • Ätzmaske z.B. für Si, SiO2, andere Halbleiter, Metalle
  • Maske für die Ionenimplantation
  • Form für die Galvanik
     
Resist

Schichtdicke @ 3000 rpm

ma-P 1205

0,5 µm

ma-P 1210

1,0 µm

ma-P 1215

1,5 µm

ma-P 1225

2,5 µm

ma-P 1240

4,0 µm

ma-P 1275

7,5 µm

Sie erhalten unsere Positiv-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1,0 l • 2,5 l • 5,0 l (Prozesschemikalien)

HMDS Primer: • 100 ml • 0,25 l • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner:  • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)