ma-N 400 Serie & ma-N 1400 Serie

UV-Lithographie (Breitband und i-Linen-Belichtung)

Single layer lift-off Strukturierung, konventionelle Strukturübertragungsprozesse

Merkmale

  • Einstellbares Resistprofil: vertikal bis unterschnitten
  • Hohe thermische Stability der Resiststrukturen
  • Hohe Nass- und Trockenätzstabilität
  • Wässrig-alkalisch entwickelbar
  • Leicht entfernbar

ma-N 400: Thermische Stabilität bis 110 °C für Aufdampfprozesse

ma-N 1400: Thermische Stabilität bis 160°C für Aufdampf- und Sputterprozesse

Anwendungen

  • Maske für Lift-off Prozesse
  • Ätzmaske für Halbleiter und Metalle
  • Maske für Ionenimplantationsprozesse

ma-N 400

Resist    Schichtdicke @ 3000 rpm
ma-N 405 0,5 µm
ma-N 415    1,5 µm
ma-N 420    2,0 µm
ma-N 440    4,1 µm
ma-N 490 7,5 µm

 ma-N 1400

Resist Schichtdicke @ 3000 rpm
ma-N 1405 0,5 µm
ma-N 1407    0,7 µm
ma-N 1410    1,0 µm
ma-N 1420    2,0 µm
ma-N 1440 4,0 µm

Sie erhalten unsere Negativ-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1,0 l • 2,5 l • 5,0 l (Prozesschemikalien)

Haftvermittler: • 100 ml • 0,25 l • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner: • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

mr-NIL210 Serie

Photo-Nanoimprint-Lithographie

mr-NIL210 ist ein rein organischer Photo-NIL-Resist mit ausgezeichneter Ätzstabilität. Er eignet sich insbesondere für die Soft-NIL mit weichen Stempelmaterialien, beispielsweise PDMS.

Merkmale

  • Exzellente Härtungseigenschaften,  selbst bei Anwesenheit von Luftsauerstoff
  • Hervorragende Kompatibilität zu PDMS-Arbeitsstempeln für die Soft-NIL, bevorzugte Anwendung in Kombination mit dem Stempelmaterial UV-PDMS KER-4690 
  • Überragende Ätzstabilität gegenüber unterschiedlichen Substraten wie Silizium, Siliziumdioxid oder Aluminium
  • Rein organischer Resist, komplette Entfernung auch nach dem Härten mit Sauerstoffplasma möglich

Anwendungen

  • Hartmaske für die Strukturübertragung (nasschemisch oder mittels Trockenätzen )
  • Herstellung von Nanostrukturen für z.B.
    • Nano-optische Bauteile, SOEs
    • LEDs, photonische Kristalle
    • Patterned Sapphire Substrates (PSS)
    • Mikroelektronische Bauteile
    • Organische Elektronik (OLED, OPV, OTFT)
    • Speichermedien (bit patterned media)
    • Lift-off in Kombination mit z.B. LOR (MCC, USA)

 Empfohlene Prozessparameter

Verfahren

Prozessparameter

Schleuderbeschichtung

3000 U min-1 für 30 s

Prebake-Bedingungen

100 °C für 60 s

Prägetemperatur

Raumtemperatur

Prägedruck

> 100 mbar

Belichtungsintensität

mr-NIL210-100nm: 100 mW cm-2
mr-NIL210-200nm: 50 mW cm-2
mr-NIL210-500nm: 50 mW cm-2

Belichtungseinheit

Option 1: Breitbandbelichtung
Option 2: LED (365-405 nm)

Verdünnungslösemittel (Thinner)

ma-T 1045

Haftvermittler (Primer)

mr-APS1

 Unsere Standardschichtdicken

mr-NIL210 Version

Schichtdicke @ 3000 Umin-1*

mr-NIL210-100nm

100 nm

mr-NIL210-200nm

200 nm

mr-NIL210-500nm

500 nm

* Herstellung weiterer Schichtdicken möglich bis 2 µm auf Anfrage 

Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 100 ml
  • 250 ml
  • 500 ml
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

mr-UVCur21 Serie

Photo-Nanoimprint-Lithographie

mr-UVCur21 ist ein reiner photo-härtender NIL Resist mit ausgesprochen guter Ätzstabilität

Merkmale

  • Niedrigviskose Resistformulierung, schnelle Füllung der Stempelkavitäten
  • Schnelle Photovernetzung bei geringer UV-Intensität, kurze Imprintzyklen
  • 100% organisch, Rückstandsfreie Entfernung mit Sauerstoffplasma möglich

Anwendungen

Herstellung von Nanostrukturen für z.B

  • Mikroelektronische Bauteile
  • Data storage (bit patterned media)
  • Nano-optische Bauteile
  • Photonische Kristalle
  • Hardmask für die Strukturübertragung (nasschemisch oder Trockenätzen)
  • Lift-off in Kombination mit z.B. LOR (MCC, USA)
     

mr-UVCur21 Versionen

Schichtdicke *

mr-UVCur21-100nm

100 nm

mr-UVCur21-200nm

200 nm

mr-UVCur21-300nm

300 nm

mr-UVCur21SF

1,7 µm

* Andere Schichtdicken auf Anfrage verfügbar   

Sie erhalten unsere NIL-Polymere in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

mr-NIL 6000E Serie

Kombinierte thermische- und Photo-Nanoimprint-Lithographie

mr-NIL 6000E ist ein photo-härtender thermoplastischer NIL Resist, der nach Prägen und Belichten eine ausgesprochene Strukturtreue unter thermischer Belastung aufweist

Merkmale

  • Hohe thermische Strukturstabilität in nachgelagerten Prozessen durch die thermische Vernetzung/Aushärtung während des Imprintens
  • Rein organischer Thermoplast → Plasmaätzen und stripping mit reinem Sauerstoffplasma möglich

Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

  • High brightness LEDs
  • Photonischen Kristallen
  • Patterned media
  • Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements
     

mr-NIL 6000E Versionen

Schichtdicke *

mr-NIL 6000.1E

100 nm

mr-NIL 6000.2E 200 nm
mr-NIL 6000.3E 300 nm

* Andere Schichtdicken auf Anfrage verfügbar 

Sie erhalten unsere NIL-Polymere in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

mr-I 9000M Serie

Thermische Nanoimprint-Lithographie

Thermisch härtender NIL Resist (Thermoset - keine verbleibende Glasübergangsstufe nach dem Imprinten)

Merkmale

  • Hohe thermische Strukturstabilität bis 250 °C (durch einen zweistufigen Imprintprozess) in nachgelagerten Prozessen durch die thermische Vernetzung/Aushärtung während des Imprintens (keine verbleibende Glasübergangsstufe nach dem Imprinten)
  • Rein organischer Resist → Plasmaätzen mit reinem Sauerstoffplasma möglich

Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

  • High brightness LEDs
  • Photonischen Kristallen
  • Patterned media
  • Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements
     

mr-I 9000M Versionen *

Schichtdicken *

mr-I 9010M

100 nm

mr-I 9020M 200 nm
mr-I 9030M 300 nm
mr-I 9050M 500 nm
mr-I 9100M 1.0 µm

* Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich   

Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)
     
  • Passender Verdünner: ma-T 1045
  • Resistentfernung: ma-T1045, Sauerstoffplasma
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

ma-N 2400 Serie & mr-EBL 6000 Serie

Elektronenstrahl-/ Tief-UV-Lithographie

Konventionelle Strukturübertragungsprozesse

Merkmale ma-N 2400 Serie für die Elektronenstrahl-  und Tief-UV Lithographie

  • Hohes Auflösungsvermögen (~ 40 - 50 nm)
  • Wässrig-alkalisch entwickelbar
  • Hohe thermische Stabilität der Resiststrukturen
  • Hohe Nass- und Trockenätzbeständigkeit
  • Leicht entfernbar

Merkmale mr-EBL 6000 Serie für die Elektronenstrahllithographie

  • Hohes Auflösungsvermögen (~ 40 - 50 nm)
  • Ausgezeichnete thermische Stabilität der Resiststrukturen
  • Hohe Nass- und Trockenätzbeständigkeit
  • Post exposure bake (PEB) erforderlich

Anwendungen

  • Ätzmaske

ma-N 2400

Resist

Schichtdicke @ 3000 rpm

ma-N 2401

0,1 µm

ma-N 2403

0,3 µm 

ma-N 2405

0,5 µm 

ma-N 2410

1.0 µm 

mr-EBL 6000

Resist

Schichtdicke @ 3000 rpm

mr-EBL 6000.1

0,1 µm 

mr-EBL 6000.3

0,3 µm 

mr-EBL 6000.5

0,5 µm 

Sie erhalten unsere Negativ-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1,0 l • 2,5 l • 5,0 l (Prozesschemikalien)

HMDS Primer: • 100 ml • 0,25 l • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner: • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

ma-P 1200

UV-Lithographie

ma-P 1200 ist eine Positiv-Photoresist-Serie für die Anwendung in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik. Die Resiste sind in einer Reihe unterschiedlicher Viskositäten erhältlich für Schichtdicken von 0,3 – 40 μm in einem Schleuderbeschichtungsschritt

Merkmale

  • Breitband-, g-, h- und i-Linien-Belichtung
  • Gute Strukturstabilität in Nassätzprozessen und sauren und alkalischen Galvanikbädern
  • Hohe Stabilität in Trockenätzprozessen z.B. mit CHF3, CF4, SF6
  • Wässrig-alkalische Entwicklung

Anwendungen

  • Ätzmaske z.B. für Si, SiO2, andere Halbleiter, Metalle
  • Maske für die Ionenimplantation
  • Form für die Galvanik
     
Resist

Schichtdicke @ 3000 rpm

ma-P 1205

0,5 µm

ma-P 1210

1,0 µm

ma-P 1215

1,5 µm

ma-P 1225

2,5 µm

ma-P 1240

4,0 µm

ma-P 1275

7,5 µm

Sie erhalten unsere Positiv-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1,0 l • 2,5 l • 5,0 l (Prozesschemikalien)

HMDS Primer: • 100 ml • 0,25 l • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner:  • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)