mr-NIL210 Serie

Photo-Nanoimprint-Lithographie

mr-NIL210 ist ein rein organischer Photo-NIL-Resist mit ausgezeichneter Ätzstabilität. Er eignet sich insbesondere für die Soft-NIL mit weichen Stempelmaterialien, beispielsweise PDMS.

Merkmale

  • Exzellente Härtungseigenschaften,  selbst bei Anwesenheit von Luftsauerstoff
  • Hervorragende Kompatibilität zu PDMS-Arbeitsstempeln für die Soft-NIL, bevorzugte Anwendung in Kombination mit dem Stempelmaterial UV-PDMS KER-4690 
  • Überragende Ätzstabilität gegenüber unterschiedlichen Substraten wie Silizium, Siliziumdioxid oder Aluminium
  • Rein organischer Resist, komplette Entfernung auch nach dem Härten mit Sauerstoffplasma möglich

Anwendungen

  • Hartmaske für die Strukturübertragung (nasschemisch oder mittels Trockenätzen )
  • Herstellung von Nanostrukturen für z.B.
    • Nano-optische Bauteile, SOEs
    • LEDs, photonische Kristalle
    • Patterned Sapphire Substrates (PSS)
    • Mikroelektronische Bauteile
    • Organische Elektronik (OLED, OPV, OTFT)
    • Speichermedien (bit patterned media)
    • Lift-off in Kombination mit z.B. LOR (MCC, USA)

 Empfohlene Prozessparameter

Verfahren

Prozessparameter

Schleuderbeschichtung

3000 U min-1 für 30 s

Prebake-Bedingungen

100 °C für 60 s

Prägetemperatur

Raumtemperatur

Prägedruck

> 100 mbar

Belichtungsintensität

mr-NIL210-100nm: 100 mW cm-2
mr-NIL210-200nm: 50 mW cm-2
mr-NIL210-500nm: 50 mW cm-2

Belichtungseinheit

Option 1: Breitbandbelichtung
Option 2: LED (365-405 nm)

Verdünnungslösemittel (Thinner)

ma-T 1045

Haftvermittler (Primer)

mr-APS1

 Unsere Standardschichtdicken

mr-NIL210 Version

Schichtdicke @ 3000 Umin-1*

mr-NIL210-100nm

100 nm

mr-NIL210-200nm

200 nm

mr-NIL210-500nm

500 nm

* Herstellung weiterer Schichtdicken möglich bis 2 µm auf Anfrage 

Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 100 ml
  • 250 ml
  • 500 ml
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

mr-UVCur21 Serie

Photo-Nanoimprint-Lithographie

mr-UVCur21 ist ein reiner photo-härtender NIL Resist mit ausgesprochen guter Ätzstabilität

Merkmale

  • Niedrigviskose Resistformulierung, schnelle Füllung der Stempelkavitäten
  • Schnelle Photovernetzung bei geringer UV-Intensität, kurze Imprintzyklen
  • 100% organisch, Rückstandsfreie Entfernung mit Sauerstoffplasma möglich

Anwendungen

Herstellung von Nanostrukturen für z.B

  • Mikroelektronische Bauteile
  • Data storage (bit patterned media)
  • Nano-optische Bauteile
  • Photonische Kristalle
  • Hardmask für die Strukturübertragung (nasschemisch oder Trockenätzen)
  • Lift-off in Kombination mit z.B. LOR (MCC, USA)
     

mr-UVCur21 Versionen

Schichtdicke *

mr-UVCur21-100nm

100 nm

mr-UVCur21-200nm

200 nm

mr-UVCur21-300nm

300 nm

mr-UVCur21SF

1,7 µm

* Andere Schichtdicken auf Anfrage verfügbar   

Sie erhalten unsere NIL-Polymere in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

SIPOL Serie

Thermische Nanoimprint-Lithographie

T-NIL Resist (Tg = 63 °C) mit einem Anteil an polymergebundenem Silizium von 10 % für die Anwendung in Zweischichtsystemen zur Realisierung sehr hoher Aspektverhältnisse nach der Strukturübertragung mittels Trockenätzverfahren

Merkmale

  • Auftragung durch Schleuderbeschichtung auf die zugehörige Unterschicht UL1
  • Sehr hohe Plasmaätzresistenz bei geeigneten Prozessparametern durch Siliziumgehalt von 10 %
  • Gute Entformcharakteristik durch ein integriertes Additiv

Anwendungen

  • Herstellung von Nano- und Mikrometerstrukturen mit anspruchsvollem Aspektverhältnis >>3
  • Patterned sapphire substrates (PSS) für die Herstellung von Hochleistungs-LEDs
  • Micro- bzw. Nanostrukturen für Nanofluidische Bauteile, beispielsweise DNA Elektrophorese
  • Herstellung von photonischen Kristallen

Unsere Standardschichtdicken

SIPOL Version SIPOL Schichtdicken *
SIPOL-100nm 100nm
SIPOL-200nm 200nm

* Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich 

Empfohlene Prozessparameter

Verfahrensablauf Processparameter
Aufschleudern 3000 U min-1 für 30 s
Softbake Bedingungen 100 °C für 2 min
Prägetemperatur 100-130 °C
Prägedruck 10-30 bar
Prägezeit 1-5 min

Entformungstemperatur

20-50 °C
Verdünnungslösemittel (Thinner) ma-T 1050
Removerlösemittel ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma

Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

mr-DWL Serie

Laserdirektschreiben @ 405 nm

Permanentanwendung oder konventionelle Strukturübertragungsprozesse

Merkmale

  • Empfindlich oberhalb 400 nm, für das Direktlaserschreiben @ 405 nm
  • Hohe thermische und chemische Stabilität
  • Hohe Trocken- und Nassätzstabilität

Anwendungen

  • Schnelles und kontaktloses Prototyping durch
  • Permanentanwendungen: Master- und Templateherstellung, PDMS-Abformung 
  • Strukturübertragung: Ätzmaske, Galvanikform
     

Resist

Schichtdicke

mr-DWL 5

5,0 µm @ 3000 rpm

mr-DWL 40

40 µm @ 2000 rpm

mr-DWL 100 100 µm @ 1500 rpm

Sie erhalten unsere Negativ-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1,0 l • 2,5 l • 5,0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner: • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)