ma-N 400 Serie & ma-N 1400 Serie

UV-Lithographie (Breitband und i-Linen-Belichtung)

Single layer lift-off Strukturierung, konventionelle Strukturübertragungsprozesse

Merkmale

  • Einstellbares Resistprofil: vertikal bis unterschnitten
  • Hohe thermische Stability der Resiststrukturen
  • Hohe Nass- und Trockenätzstabilität
  • Wässrig-alkalisch entwickelbar
  • Leicht entfernbar

ma-N 400: Thermische Stabilität bis 110 °C für Aufdampfprozesse

ma-N 1400: Thermische Stabilität bis 160°C für Aufdampf- und Sputterprozesse

Anwendungen

  • Maske für Lift-off Prozesse
  • Ätzmaske für Halbleiter und Metalle
  • Maske für Ionenimplantationsprozesse

ma-N 400

Resist    Schichtdicke @ 3000 rpm
ma-N 405 0,5 µm
ma-N 415    1,5 µm
ma-N 420    2,0 µm
ma-N 440    4,1 µm
ma-N 490 7,5 µm

 ma-N 1400

Resist Schichtdicke @ 3000 rpm
ma-N 1405 0,5 µm
ma-N 1407    0,7 µm
ma-N 1410    1,0 µm
ma-N 1420    2,0 µm
ma-N 1440 4,0 µm

Sie erhalten unsere Negativ-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1,0 l • 2,5 l • 5,0 l (Prozesschemikalien)

Haftvermittler: • 100 ml • 0,25 l • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner: • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

mr-NIL210 Serie

Photo-Nanoimprint-Lithographie

mr-NIL210 ist ein rein organischer Photo-NIL-Resist mit ausgezeichneter Ätzstabilität. Er eignet sich insbesondere für die Soft-NIL mit weichen Stempelmaterialien, beispielsweise PDMS.

Merkmale

  • Exzellente Härtungseigenschaften,  selbst bei Anwesenheit von Luftsauerstoff
  • Hervorragende Kompatibilität zu PDMS-Arbeitsstempeln für die Soft-NIL, bevorzugte Anwendung in Kombination mit dem Stempelmaterial UV-PDMS KER-4690 
  • Überragende Ätzstabilität gegenüber unterschiedlichen Substraten wie Silizium, Siliziumdioxid oder Aluminium
  • Rein organischer Resist, komplette Entfernung auch nach dem Härten mit Sauerstoffplasma möglich

Anwendungen

  • Hartmaske für die Strukturübertragung (nasschemisch oder mittels Trockenätzen )
  • Herstellung von Nanostrukturen für z.B.
    • Nano-optische Bauteile, SOEs
    • LEDs, photonische Kristalle
    • Patterned Sapphire Substrates (PSS)
    • Mikroelektronische Bauteile
    • Organische Elektronik (OLED, OPV, OTFT)
    • Speichermedien (bit patterned media)
    • Lift-off in Kombination mit z.B. LOR (MCC, USA)

 Empfohlene Prozessparameter

Verfahren

Prozessparameter

Schleuderbeschichtung

3000 U min-1 für 30 s

Prebake-Bedingungen

100 °C für 60 s

Prägetemperatur

Raumtemperatur

Prägedruck

> 100 mbar

Belichtungsintensität

mr-NIL210-100nm: 100 mW cm-2
mr-NIL210-200nm: 50 mW cm-2
mr-NIL210-500nm: 50 mW cm-2

Belichtungseinheit

Option 1: Breitbandbelichtung
Option 2: LED (365-405 nm)

Verdünnungslösemittel (Thinner)

ma-T 1045

Haftvermittler (Primer)

mr-APS1

 Unsere Standardschichtdicken

mr-NIL210 Version

Schichtdicke @ 3000 Umin-1*

mr-NIL210-100nm

100 nm

mr-NIL210-200nm

200 nm

mr-NIL210-500nm

500 nm

* Herstellung weiterer Schichtdicken möglich bis 2 µm auf Anfrage 

Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 100 ml
  • 250 ml
  • 500 ml
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

UV-curable liquid silicone rubber / UV-PDMS

Herstellung Polymerer Arbeitsstempel

Distribution for european markets now

micro resist technology GmbH is providing a new selection of UV-curable liquid silicone rubber / UV-PDMS (OEM:Shin-Etsu) for European markets. The UV-PDMS can be used in a wide range of applications, but in particular for the manufacture of soft-molds in replication technologies such as nanoimprint lithography.

Main advantages by using the new Shin-Etsu UV-PDMS over generic PDMS:

  • Spin-coating for enhanced mold fabrication
  • Faster curing time (e.g. 10 min after UV exposure)
  • High resolution capabilities down 100 nm and smaller
  • 0.02% shrinkage for superb pattern fidelity
     

There are two different types of UV-PDMS available. The following table provides the general material characteristics of the two different types of UV-PDMS:

General material characteristics of the new UV-PDMS (OEM:Shin-Etsu)

 

KER-4690

(X-34-4184)

KER-4691

(X-34-4208)

Appearance
(Color Tone)

Colorless

Milky-white

Appearance
(Transparency)

Transparent

Semi-
transparent

Viscosity
[Pa・s]

2.7

110

Hardness:
Durometer
type-A

55

42

Elongation
at Break [%]

110

400

Tensile Strength
[MPa]

7.7

7.0

Tear Propagation
Strength (crescent)
[kN/m]

3.0

17.1

Linear
Contraction [%]

<0.1

<0.1

Curing Rate*
[Min]

20

45

Curing Condition
[mJ/cm2]

2000

2000

* TA Instruments ARES-G2, 25℃, 1Hz

Each system consists of two components. After thoroughly mixing the two-component material system (A/B) in equal volume, the liquid mixture compounds can be processed for up to 24 hours by casting, spin-coating or other deposition methods. Due to the photo-sensitivity, the cross-linking (or curing) is initiated by UV-exposure. In contrast to generic PDMS, this allows almost full curing already at room temperature and significantly increases the curing speed (by factor of 100 and more). Furthermore, without the need of an additional thermal curing one can achieve a minimized shrinkage of 0.02%.

 

For detailed information on material properties and process specifications, please get in contact with the product manager NIL polymers Dr. Manuel Thesen (m.thesen@microresist.de). In case of inquiry request or purchase order, please contact our sales assistant Mrs. Anja Hinz (a.hinz@microresist.de).

 

The Shin-Etsu UV-PDMS are available in the following package sizes:

50 g / 50 g (UV-PDMS KER-4690-A/B)

500 g / 500 g (UV-PDMS KER-4690-A/B and KER-4691-A/B)

mr-NIL 6000E Serie

Kombinierte thermische- und Photo-Nanoimprint-Lithographie

mr-NIL 6000E ist ein photo-härtender thermoplastischer NIL Resist, der nach Prägen und Belichten eine ausgesprochene Strukturtreue unter thermischer Belastung aufweist

Merkmale

  • Hohe thermische Strukturstabilität in nachgelagerten Prozessen durch die thermische Vernetzung/Aushärtung während des Imprintens
  • Rein organischer Thermoplast → Plasmaätzen und stripping mit reinem Sauerstoffplasma möglich

Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

  • High brightness LEDs
  • Photonischen Kristallen
  • Patterned media
  • Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements
     

mr-NIL 6000E Versionen

Schichtdicke *

mr-NIL 6000.1E

100 nm

mr-NIL 6000.2E 200 nm
mr-NIL 6000.3E 300 nm

* Andere Schichtdicken auf Anfrage verfügbar 

Sie erhalten unsere NIL-Polymere in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

mr-I 9000M Serie

Thermische Nanoimprint-Lithographie

Thermisch härtender NIL Resist (Thermoset - keine verbleibende Glasübergangsstufe nach dem Imprinten)

Merkmale

  • Hohe thermische Strukturstabilität bis 250 °C (durch einen zweistufigen Imprintprozess) in nachgelagerten Prozessen durch die thermische Vernetzung/Aushärtung während des Imprintens (keine verbleibende Glasübergangsstufe nach dem Imprinten)
  • Rein organischer Resist → Plasmaätzen mit reinem Sauerstoffplasma möglich

Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

  • High brightness LEDs
  • Photonischen Kristallen
  • Patterned media
  • Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements
     

mr-I 9000M Versionen *

Schichtdicken *

mr-I 9010M

100 nm

mr-I 9020M 200 nm
mr-I 9030M 300 nm
mr-I 9050M 500 nm
mr-I 9100M 1.0 µm

* Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich   

Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)
     
  • Passender Verdünner: ma-T 1045
  • Resistentfernung: ma-T1045, Sauerstoffplasma
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

SIPOL Serie

Thermische Nanoimprint-Lithographie

T-NIL Resist (Tg = 63 °C) mit einem Anteil an polymergebundenem Silizium von 10 % für die Anwendung in Zweischichtsystemen zur Realisierung sehr hoher Aspektverhältnisse nach der Strukturübertragung mittels Trockenätzverfahren

Merkmale

  • Auftragung durch Schleuderbeschichtung auf die zugehörige Unterschicht UL1
  • Sehr hohe Plasmaätzresistenz bei geeigneten Prozessparametern durch Siliziumgehalt von 10 %
  • Gute Entformcharakteristik durch ein integriertes Additiv

Anwendungen

  • Herstellung von Nano- und Mikrometerstrukturen mit anspruchsvollem Aspektverhältnis >>3
  • Patterned sapphire substrates (PSS) für die Herstellung von Hochleistungs-LEDs
  • Micro- bzw. Nanostrukturen für Nanofluidische Bauteile, beispielsweise DNA Elektrophorese
  • Herstellung von photonischen Kristallen

Unsere Standardschichtdicken

SIPOL Version SIPOL Schichtdicken *
SIPOL-100nm 100nm
SIPOL-200nm 200nm

* Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich 

Empfohlene Prozessparameter

Verfahrensablauf Processparameter
Aufschleudern 3000 U min-1 für 30 s
Softbake Bedingungen 100 °C für 2 min
Prägetemperatur 100-130 °C
Prägedruck 10-30 bar
Prägezeit 1-5 min

Entformungstemperatur

20-50 °C
Verdünnungslösemittel (Thinner) ma-T 1050
Removerlösemittel ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma

Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

mr-I 8000R Serie

Thermische Nanoimprint-Lithographie

T-NIL Resist mit höherer Glasübergangstemperatur (Tg = 115 °C) für bessere Strukturstabilität in nachfolgenden Prozessen

Merkmale

  • Erleichterte Stempeltrennung durch ein integriertes fluoriertes Additiv
  • Rein organischer Thermoplast → Plasmaätzen mit reinem Sauerstoffplasma möglich
  • Polymer löslich in Aceton und anderen gängigen Lösemitteln → einfache Reinigung

Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

  • High brightness LEDs
  • Photonischen Kristallen
  • Patterned media
  • Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements
  • Microfluidics, bio applications
  • Single layer lift-off
     
Parameter mr-I 7000R mr-I 8000R
Glasübergangstemperatur Tg 50 °C 105 °C
Prägetemperatur 120 °C - 140 °C 150 °C - 180 °C
Prägedruck 20 - 40 bar 20 - 40 bar
Gebrauchsfertige Lösungen für Standardschichtdicken * (3000 U/min)

mr-I 7010R 100nm

mr-I 7020R 200nm

mr-I 7030R 300nm

mr-I 8010R 100nm

mr-I 8020R 200nm

mr-I 8030R 300nm

Verdünnungslösemittel (Thinner) ma-T 1050 ma-T 1050
Resistentfernung ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma

 * Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich

Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

mr-I 7000R Serie

Thermische Nanoimprint-Lithographie

T-NIL Resist mit niedriger Glasübergangstemperatur (Tg = 55 °C) für niedrige Prägetemperaturen

Merkmale

  • Erleichterte Stempeltrennung durch ein integriertes fluoriertes Additiv
  • Rein organischer Thermoplast → Plasmaätzen mit reinem Sauerstoffplasma möglich
  • Polymer löslich in Aceton und anderen gängigen Lösemitteln → einfache Reinigung

Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

  • High brightness LEDs
  • Photonischen Kristallen
  • Patterned media
  • Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements
  • Microfluidics, bio applications
  • Single layer lift-off
     
Parameter mr-I 7000R mr-I 8000R
Glasübergangstemperatur Tg 55 °C 115 °C
Prägetemperatur 120 °C - 140 °C 150 °C - 180 °C
Prägedruck 20 - 40 bar 20 - 40 bar
Gebrauchsfertige Lösungen für
Standardschichtdicken *
(3000 rpm)

mr-I 7010R 100nm

mr-I 7020R 200nm

mr-I 7030R 300nm

mr-I 8010R 100nm

mr-I 8020R 200nm

mr-I 8030R 300nm

Verdünnungslösemittel (Thinner) ma-T 1050 ma-T 1050
Resistentfernung ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma

* Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich   

Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

ma-P 1200

UV-Lithographie

ma-P 1200 ist eine Positiv-Photoresist-Serie für die Anwendung in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik. Die Resiste sind in einer Reihe unterschiedlicher Viskositäten erhältlich für Schichtdicken von 0,3 – 40 μm in einem Schleuderbeschichtungsschritt

Merkmale

  • Breitband-, g-, h- und i-Linien-Belichtung
  • Gute Strukturstabilität in Nassätzprozessen und sauren und alkalischen Galvanikbädern
  • Hohe Stabilität in Trockenätzprozesse z.B. mit CHF3, CF4, SF6
  • Wässrig-alkalische Entwicklung

Anwendungen

  • Ätzmaske z.B. für Si, SiO2, andere Halbleiter, Metalle
  • Maske für die Ionenimplantation
  • Form für die Galvanik
     
Resist

Schichtdicke @ 3000 rpm

ma-P 1205

0,5 µm

ma-P 1210

1,0 µm

ma-P 1215

1,5 µm

ma-P 1225

2,5 µm

ma-P 1240

4,0 µm

ma-P 1275

7,5 µm

Sie erhalten unsere Positiv-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1,0 l • 2,5 l • 5,0 l (Prozesschemikalien)

HMDS Primer: • 100 ml • 0,25 l • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner:  • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)