mr-PosEBR Serie

E-Beam Lithographie

Positivresist-Serie für die Elektronenstrahlbelichtung

Merkmale

  • Hochempfindlich
  • Hohes Auflösungsvermögen (< 50 nm)
  • Hohe Trockenätzbeständigkeit
  • Entwicklung in organischen Lösemitteln 

Anwendungen

  • Ätzmaske   

Resist

Schichtdicke @ 3000 rpm

mr-PosEBR 0.05

50 nm

mr-PosEBR 0.1

100 nm

mr-PosEBR 0.3

300 nm

Sie erhalten unsere Positiv-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1.0 l • 2.5 l • 5.0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner: • 0.5 l • 1.0 l (Prozesschemikalien)

mr-UVCur26SF

Photo-Nanoimprint-Lithographie

mr-UVCur26SF ist ein rein organischer und lösemittelfreier Photo-NIL-Resist entwickelt für die Beschichtung mittels Inkjet-Verfahren. Seine niedrige Viskosität und sehr schnelle Härtung ermöglichen den Einsatz in kontinulierlichen Rolle-zu-Rolle-NIL-Prozessen (R2R-NIL).

Merkmale

  • Beschichtung mittels Inkjet-Dispensierung durch die niedrige Viskosität (15 mPas), beispielsweise für Step-and-Repeat-Verfahren
  • Kein Prebake nach der Substratbeschichtung durch den Verzicht auf Lösemittel
  • Sehr schnelle Härtung in kontinuierlichen Rolle-zu-Rolle-NIL-Prozessen mit hohem Durchsatz, Rollengeschwindigkeit bis zu 30 m/min  erreicht
  • Gute Haftung auf PC- und PET-Substraten
  • Hervorragende Ätzstabilität für Strukturübertragungen in Plasmaätzprozessen
  • Rückstandsfrei entfernbar mit Sauerstoff-Plasma

Anwendungen

  • Hartmaske für die Strukturübertragung (mittels Trockenätzen)
  • Applikation von Nanostrukturen auf Polymerfolien
  • Herstellung von Nanostrukturen für z.B.
    • Nano-optische Bauteile, SOEs
    • Organische Elektronik (OLED, OPV, OTFT)
    • Mikroelektronische Bauteile
    • LEDs, photonische Kristalle

 Prozessparameter für die Inkjet-Dispensierung

Verfahren

Prozessparameter

Inkjet-Parameter

Piezoaktuierter Druckkopf, Drucken bei Raumtemperatur möglich

Prebake-Bedingungen

Nicht notwendig (lösemittelfrei)

Prägetemperatur

Raumtemperatur

Prägedruck

> 100 mbar

Belichtungsdosis

> 500 mJ cm-2 (λ =  320 – 420 nm)

Verdünnungslösemittel (Thinner)

Nicht anwendbar

Haftvermittler (Primer)

mr-APS1 (für z. B. Si)

 Prozessparameter für die Rolle-zu-Rolle-NIL

Verfahren

Prozessparameter

Auftragungsmethode

Gravurdruck, Inkjet-Dispensierung o.ä.

Prebake-Bedingungen

Nicht notwendig (lösemittelfrei)

Schichtdicke

Abhängig von der aufgetragenen Menge

Rollengeschwindigkeit

Maschinenabhängig und begrenzt durch die Beleuchtungseinheit, bis zu 30 m/min bislang erreicht

Prägetemperatur

Raumtemperatur

Prägedruck

Maschinenabhängig

Belichtungsdosis

> 500 mJ cm-2 (λ =  320 – 420 nm)

Verdünnungslösemittel (Thinner)

Nicht geeignet für Verdünnungen

Haftvermittler (Primer)

Nicht notwendig, gute Haftung auf PC, PET etc.

Sie erhalten mr-UVCur26SF in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 100 ml
  • 250 ml
  • 500 ml
  • 1000 ml
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

mr-NIL210 Serie

Photo-Nanoimprint-Lithographie

mr-NIL210 ist ein rein organischer Photo-NIL-Resist mit ausgezeichneter Ätzstabilität. Er eignet sich insbesondere für die Soft-NIL mit weichen Stempelmaterialien, beispielsweise PDMS.

Merkmale

  • Exzellente Härtungseigenschaften,  selbst bei Anwesenheit von Luftsauerstoff
  • Hervorragende Kompatibilität zu PDMS-Arbeitsstempeln für die Soft-NIL, bevorzugte Anwendung in Kombination mit dem Stempelmaterial UV-PDMS KER-4690 
  • Überragende Ätzstabilität gegenüber unterschiedlichen Substraten wie Silizium, Siliziumdioxid oder Aluminium
  • Rein organischer Resist, komplette Entfernung auch nach dem Härten mit Sauerstoffplasma möglich

Anwendungen

  • Hartmaske für die Strukturübertragung (nasschemisch oder mittels Trockenätzen )
  • Herstellung von Nanostrukturen für z.B.
    • Nano-optische Bauteile, SOEs
    • LEDs, photonische Kristalle
    • Patterned Sapphire Substrates (PSS)
    • Mikroelektronische Bauteile
    • Organische Elektronik (OLED, OPV, OTFT)
    • Speichermedien (bit patterned media)
    • Lift-off in Kombination mit z.B. LOR (MCC, USA)

 Empfohlene Prozessparameter

Verfahren

Prozessparameter

Schleuderbeschichtung

3000 U min-1 für 30 s

Prebake-Bedingungen

100 °C für 60 s

Prägetemperatur

Raumtemperatur

Prägedruck

> 100 mbar

Belichtungsintensität

mr-NIL210-100nm: 100 mW cm-2
mr-NIL210-200nm: 50 mW cm-2
mr-NIL210-500nm: 50 mW cm-2

Belichtungseinheit

Option 1: Breitbandbelichtung
Option 2: LED (365-405 nm)

Verdünnungslösemittel (Thinner)

ma-T 1045

Haftvermittler (Primer)

mr-APS1

 Unsere Standardschichtdicken

mr-NIL210 Version

Schichtdicke @ 3000 Umin-1*

mr-NIL210-100nm

100 nm

mr-NIL210-200nm

200 nm

mr-NIL210-500nm

500 nm

* Herstellung weiterer Schichtdicken möglich bis 2 µm auf Anfrage 

Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 100 ml
  • 250 ml
  • 500 ml
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

UV-curable liquid silicone rubber / UV-PDMS

Herstellung Polymerer Arbeitsstempel

Distribution for european markets now

micro resist technology GmbH is providing a new selection of UV-curable liquid silicone rubber / UV-PDMS (OEM:Shin-Etsu) for European markets. The UV-PDMS can be used in a wide range of applications, but in particular for the manufacture of soft-molds in replication technologies such as nanoimprint lithography.

Main advantages by using the new Shin-Etsu UV-PDMS over generic PDMS:

  • Spin-coating for enhanced mold fabrication
  • Faster curing time (e.g. 10 min after UV exposure)
  • High resolution capabilities down 100 nm and smaller
  • 0.02% shrinkage for superb pattern fidelity
     

There are two different types of UV-PDMS available. The following table provides the general material characteristics of the two different types of UV-PDMS:

General material characteristics of the new UV-PDMS (OEM:Shin-Etsu)

 

KER-4690

(X-34-4184)

KER-4691

(X-34-4208)

Appearance
(Color Tone)

Colorless

Milky-white

Appearance
(Transparency)

Transparent

Semi-
transparent

Viscosity
[Pa・s]

2.7

110

Hardness:
Durometer
type-A

55

42

Elongation
at Break [%]

110

400

Tensile Strength
[MPa]

7.7

7.0

Tear Propagation
Strength (crescent)
[kN/m]

3.0

17.1

Linear
Contraction [%]

<0.1

<0.1

Curing Rate*
[Min]

20

45

Curing Condition
[mJ/cm2]

2000

2000

* TA Instruments ARES-G2, 25℃, 1Hz

Each system consists of two components. After thoroughly mixing the two-component material system (A/B) in equal volume, the liquid mixture compounds can be processed for up to 24 hours by casting, spin-coating or other deposition methods. Due to the photo-sensitivity, the cross-linking (or curing) is initiated by UV-exposure. In contrast to generic PDMS, this allows almost full curing already at room temperature and significantly increases the curing speed (by factor of 100 and more). Furthermore, without the need of an additional thermal curing one can achieve a minimized shrinkage of 0.02%.

 

For detailed information on material properties and process specifications, please get in contact with the product manager NIL polymers Dr. Manuel Thesen (m.thesen@microresist.de). In case of inquiry request or purchase order, please contact our sales assistant Mrs. Anja Hinz (a.hinz@microresist.de).

 

The Shin-Etsu UV-PDMS are available in the following package sizes:

50 g / 50 g (UV-PDMS KER-4690-A/B)

500 g / 500 g (UV-PDMS KER-4690-A/B and KER-4691-A/B)

mr-UVCur21 Serie

Photo-Nanoimprint-Lithographie

mr-UVCur21 ist ein reiner photo-härtender NIL Resist mit ausgesprochen guter Ätzstabilität

Merkmale

  • Niedrigviskose Resistformulierung, schnelle Füllung der Stempelkavitäten
  • Schnelle Photovernetzung bei geringer UV-Intensität, kurze Imprintzyklen
  • 100% organisch, Rückstandsfreie Entfernung mit Sauerstoffplasma möglich

Anwendungen

Herstellung von Nanostrukturen für z.B

  • Mikroelektronische Bauteile
  • Data storage (bit patterned media)
  • Nano-optische Bauteile
  • Photonische Kristalle
  • Hardmask für die Strukturübertragung (nasschemisch oder Trockenätzen)
  • Lift-off in Kombination mit z.B. LOR (MCC, USA)
     

mr-UVCur21 Versionen

Schichtdicke *

mr-UVCur21-100nm

100 nm

mr-UVCur21-200nm

200 nm

mr-UVCur21-300nm

300 nm

mr-UVCur21SF

1,7 µm

* Andere Schichtdicken auf Anfrage verfügbar   

Sie erhalten unsere NIL-Polymere in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

mr-NIL 6000E Serie

Kombinierte thermische- und Photo-Nanoimprint-Lithographie

mr-NIL 6000E ist ein photo-härtender thermoplastischer NIL Resist, der nach Prägen und Belichten eine ausgesprochene Strukturtreue unter thermischer Belastung aufweist

Merkmale

  • Hohe thermische Strukturstabilität in nachgelagerten Prozessen durch die thermische Vernetzung/Aushärtung während des Imprintens
  • Rein organischer Thermoplast → Plasmaätzen und stripping mit reinem Sauerstoffplasma möglich

Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

  • High brightness LEDs
  • Photonischen Kristallen
  • Patterned media
  • Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements
     

mr-NIL 6000E Versionen

Schichtdicke *

mr-NIL 6000.1E

100 nm

mr-NIL 6000.2E 200 nm
mr-NIL 6000.3E 300 nm

* Andere Schichtdicken auf Anfrage verfügbar 

Sie erhalten unsere NIL-Polymere in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

mr-I 9000M Serie

Thermische Nanoimprint-Lithographie

Thermisch härtender NIL Resist (Thermoset - keine verbleibende Glasübergangsstufe nach dem Imprinten)

Merkmale

  • Hohe thermische Strukturstabilität bis 250 °C (durch einen zweistufigen Imprintprozess) in nachgelagerten Prozessen durch die thermische Vernetzung/Aushärtung während des Imprintens (keine verbleibende Glasübergangsstufe nach dem Imprinten)
  • Rein organischer Resist → Plasmaätzen mit reinem Sauerstoffplasma möglich

Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

  • High brightness LEDs
  • Photonischen Kristallen
  • Patterned media
  • Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements
     

mr-I 9000M Versionen *

Schichtdicken *

mr-I 9010M

100 nm

mr-I 9020M 200 nm
mr-I 9030M 300 nm
mr-I 9050M 500 nm
mr-I 9100M 1.0 µm

* Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich   

Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)
     
  • Passender Verdünner: ma-T 1045
  • Resistentfernung: ma-T1045, Sauerstoffplasma
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

ma-N 2400 Serie & mr-EBL 6000 Serie

Elektronenstrahl-/ Tief-UV-Lithographie

Konventionelle Strukturübertragungsprozesse

Merkmale ma-N 2400 Serie für die Elektronenstrahl-  und Tief-UV Lithographie

  • Hohes Auflösungsvermögen (~ 40 - 50 nm)
  • Wässrig-alkalisch entwickelbar
  • Hohe thermische Stabilität der Resiststrukturen
  • Hohe Nass- und Trockenätzbeständigkeit
  • Leicht entfernbar

Merkmale mr-EBL 6000 Serie für die Elektronenstrahllithographie

  • Hohes Auflösungsvermögen (~ 40 - 50 nm)
  • Ausgezeichnete thermische Stabilität der Resiststrukturen
  • Hohe Nass- und Trockenätzbeständigkeit
  • Post exposure bake (PEB) erforderlich

Anwendungen

  • Ätzmaske

ma-N 2400

Resist

Schichtdicke @ 3000 rpm

ma-N 2401

0,1 µm

ma-N 2403

0,3 µm 

ma-N 2405

0,5 µm 

ma-N 2410

1.0 µm 

mr-EBL 6000

Resist

Schichtdicke @ 3000 rpm

mr-EBL 6000.1

0,1 µm 

mr-EBL 6000.3

0,3 µm 

mr-EBL 6000.5

0,5 µm 

Sie erhalten unsere Negativ-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1,0 l • 2,5 l • 5,0 l (Prozesschemikalien)

HMDS Primer: • 100 ml • 0,25 l • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner: • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)