mr-UVCur26SF

Photo-Nanoimprint-Lithographie

mr-UVCur26SF ist ein rein organischer und lösemittelfreier Photo-NIL-Resist entwickelt für die Beschichtung mittels Inkjet-Verfahren. Seine niedrige Viskosität und sehr schnelle Härtung ermöglichen den Einsatz in kontinulierlichen Rolle-zu-Rolle-NIL-Prozessen (R2R-NIL).

Merkmale

  • Beschichtung mittels Inkjet-Dispensierung durch die niedrige Viskosität (15 mPas), beispielsweise für Step-and-Repeat-Verfahren
  • Kein Prebake nach der Substratbeschichtung durch den Verzicht auf Lösemittel
  • Sehr schnelle Härtung in kontinuierlichen Rolle-zu-Rolle-NIL-Prozessen mit hohem Durchsatz, Rollengeschwindigkeit bis zu 30 m/min  erreicht
  • Gute Haftung auf PC- und PET-Substraten
  • Hervorragende Ätzstabilität für Strukturübertragungen in Plasmaätzprozessen
  • Rückstandsfrei entfernbar mit Sauerstoff-Plasma

Anwendungen

  • Hartmaske für die Strukturübertragung (mittels Trockenätzen)
  • Applikation von Nanostrukturen auf Polymerfolien
  • Herstellung von Nanostrukturen für z.B.
    • Nano-optische Bauteile, SOEs
    • Organische Elektronik (OLED, OPV, OTFT)
    • Mikroelektronische Bauteile
    • LEDs, photonische Kristalle

 Prozessparameter für die Inkjet-Dispensierung

Verfahren

Prozessparameter

Inkjet-Parameter

Piezoaktuierter Druckkopf, Drucken bei Raumtemperatur möglich

Prebake-Bedingungen

Nicht notwendig (lösemittelfrei)

Prägetemperatur

Raumtemperatur

Prägedruck

> 100 mbar

Belichtungsdosis

> 500 mJ cm-2 (λ =  320 – 420 nm)

Verdünnungslösemittel (Thinner)

Nicht anwendbar

Haftvermittler (Primer)

mr-APS1 (für z. B. Si)

 Prozessparameter für die Rolle-zu-Rolle-NIL

Verfahren

Prozessparameter

Auftragungsmethode

Gravurdruck, Inkjet-Dispensierung o.ä.

Prebake-Bedingungen

Nicht notwendig (lösemittelfrei)

Schichtdicke

Abhängig von der aufgetragenen Menge

Rollengeschwindigkeit

Maschinenabhängig und begrenzt durch die Beleuchtungseinheit, bis zu 30 m/min bislang erreicht

Prägetemperatur

Raumtemperatur

Prägedruck

Maschinenabhängig

Belichtungsdosis

> 500 mJ cm-2 (λ =  320 – 420 nm)

Verdünnungslösemittel (Thinner)

Nicht geeignet für Verdünnungen

Haftvermittler (Primer)

Nicht notwendig, gute Haftung auf PC, PET etc.

Sie erhalten mr-UVCur26SF in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 100 ml
  • 250 ml
  • 500 ml
  • 1000 ml
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

mr-NIL210 Serie

Photo-Nanoimprint-Lithographie

mr-NIL210 ist ein rein organischer Photo-NIL-Resist mit ausgezeichneter Ätzstabilität. Er eignet sich insbesondere für die Soft-NIL mit weichen Stempelmaterialien, beispielsweise PDMS.

Merkmale

  • Exzellente Härtungseigenschaften,  selbst bei Anwesenheit von Luftsauerstoff
  • Hervorragende Kompatibilität zu PDMS-Arbeitsstempeln für die Soft-NIL, bevorzugte Anwendung in Kombination mit dem Stempelmaterial UV-PDMS KER-4690 
  • Überragende Ätzstabilität gegenüber unterschiedlichen Substraten wie Silizium, Siliziumdioxid oder Aluminium
  • Rein organischer Resist, komplette Entfernung auch nach dem Härten mit Sauerstoffplasma möglich

Anwendungen

  • Hartmaske für die Strukturübertragung (nasschemisch oder mittels Trockenätzen )
  • Herstellung von Nanostrukturen für z.B.
    • Nano-optische Bauteile, SOEs
    • LEDs, photonische Kristalle
    • Patterned Sapphire Substrates (PSS)
    • Mikroelektronische Bauteile
    • Organische Elektronik (OLED, OPV, OTFT)
    • Speichermedien (bit patterned media)
    • Lift-off in Kombination mit z.B. LOR (MCC, USA)

 Empfohlene Prozessparameter

Verfahren

Prozessparameter

Schleuderbeschichtung

3000 U min-1 für 30 s

Prebake-Bedingungen

100 °C für 60 s

Prägetemperatur

Raumtemperatur

Prägedruck

> 100 mbar

Belichtungsintensität

mr-NIL210-100nm: 100 mW cm-2
mr-NIL210-200nm: 50 mW cm-2
mr-NIL210-500nm: 50 mW cm-2

Belichtungseinheit

Option 1: Breitbandbelichtung
Option 2: LED (365-405 nm)

Verdünnungslösemittel (Thinner)

ma-T 1045

Haftvermittler (Primer)

mr-APS1

 Unsere Standardschichtdicken

mr-NIL210 Version

Schichtdicke @ 3000 Umin-1*

mr-NIL210-100nm

100 nm

mr-NIL210-200nm

200 nm

mr-NIL210-500nm

500 nm

* Herstellung weiterer Schichtdicken möglich bis 2 µm auf Anfrage 

Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 100 ml
  • 250 ml
  • 500 ml
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

mr-I PMMA35k Serie

Thermische Nanoimprint-Lithographie

T-NIL Resist (Tg = 105 °C) für grundlegende NIL-Versuche

Merkmale

  • Gutes Imprintverhalten
  • Einfache Reinigung mit gängigen Lösemitteln

Anwendungen

  • Grundlegende Untersuchungen
     

mr-PMMA Version *

Schichtdicke *

mr-I PMMA35k-100nm 100 nm
mr-I PMMA35k-300nm 300 nm
mr-I PMMA35k-500nm 500 nm

* Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen  

Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)
  • Passender Verdünner: ma-T 1050

  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

mr-I 9000M Serie

Thermische Nanoimprint-Lithographie

Thermisch härtender NIL Resist (Thermoset - keine verbleibende Glasübergangsstufe nach dem Imprinten)

Merkmale

  • Hohe thermische Strukturstabilität bis 250 °C (durch einen zweistufigen Imprintprozess) in nachgelagerten Prozessen durch die thermische Vernetzung/Aushärtung während des Imprintens (keine verbleibende Glasübergangsstufe nach dem Imprinten)
  • Rein organischer Resist → Plasmaätzen mit reinem Sauerstoffplasma möglich

Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

  • High brightness LEDs
  • Photonischen Kristallen
  • Patterned media
  • Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements
     

mr-I 9000M Versionen *

Schichtdicken *

mr-I 9010M

100 nm

mr-I 9020M 200 nm
mr-I 9030M 300 nm
mr-I 9050M 500 nm
mr-I 9100M 1.0 µm

* Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich   

Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)
     
  • Passender Verdünner: ma-T 1045
  • Resistentfernung: ma-T1045, Sauerstoffplasma
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

mr-I T85 Serie

Thermische Nanoimprint-Lithographie

T-NIL Resist (Tg = 85 °C) aus Cyclo-Olefin-Copolymer (TOPAS) mit höchster optischer Transparenz im UV/vis-Bereich und ausgeprägter chemischer Stabilität gegen Lösemittel, Säuren und Laugen

Merkmale

  • Erleichterte Stempeltrennung durch ein integriertes fluoriertes Additiv
  • Schichten bis 5 µm für die Herstellung von mikrofluidischen oder „Lab-on-chip“ Bauteilen applizierbar
  • Rein organischer Thermoplast → Plasmaätzen mit reinem Sauerstoffplasma möglich
  • mit höchster optischer Transparenz im UV/vis-Bereich und ausgeprägter chemischer Stabilität gegen Lösemittel, Säuren und Laugen

Anwendungen

Lab-on-chip Bauteile

  • Biofluidische Bauteile
  • Mikrofluidik
  • Mikrooptische Bauelemente
  • Wellenleiter
  • Ein- und Mehrschichtbauteile
  • Ätzmaske für die Strukturübertragung
     
Material- und Imprintparamter mr-I T85
Glasübergangstemperatur Tg 85 °C
Prägetemperatur 130 – 150 °C
Prägedruck 5 – 20 bar
Gebrauchsfertige Lösungen für
Standard-schichtdicken* (3000 rpm)

mr-I T85-0.3 300 nm

mr-I T85-1.0 1.0 µm

mr-I T85-5.0 5.0 µm

Resistentfernung Sauerstoffplasma

* Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich

Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

SIPOL Serie

Thermische Nanoimprint-Lithographie

T-NIL Resist (Tg = 63 °C) mit einem Anteil an polymergebundenem Silizium von 10 % für die Anwendung in Zweischichtsystemen zur Realisierung sehr hoher Aspektverhältnisse nach der Strukturübertragung mittels Trockenätzverfahren

Merkmale

  • Auftragung durch Schleuderbeschichtung auf die zugehörige Unterschicht UL1
  • Sehr hohe Plasmaätzresistenz bei geeigneten Prozessparametern durch Siliziumgehalt von 10 %
  • Gute Entformcharakteristik durch ein integriertes Additiv

Anwendungen

  • Herstellung von Nano- und Mikrometerstrukturen mit anspruchsvollem Aspektverhältnis >>3
  • Patterned sapphire substrates (PSS) für die Herstellung von Hochleistungs-LEDs
  • Micro- bzw. Nanostrukturen für Nanofluidische Bauteile, beispielsweise DNA Elektrophorese
  • Herstellung von photonischen Kristallen

Unsere Standardschichtdicken

SIPOL Version SIPOL Schichtdicken *
SIPOL-100nm 100nm
SIPOL-200nm 200nm

* Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich 

Empfohlene Prozessparameter

Verfahrensablauf Processparameter
Aufschleudern 3000 U min-1 für 30 s
Softbake Bedingungen 100 °C für 2 min
Prägetemperatur 100-130 °C
Prägedruck 10-30 bar
Prägezeit 1-5 min

Entformungstemperatur

20-50 °C
Verdünnungslösemittel (Thinner) ma-T 1050
Removerlösemittel ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma

Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

mr-I 8000R Serie

Thermische Nanoimprint-Lithographie

T-NIL Resist mit höherer Glasübergangstemperatur (Tg = 115 °C) für bessere Strukturstabilität in nachfolgenden Prozessen

Merkmale

  • Erleichterte Stempeltrennung durch ein integriertes fluoriertes Additiv
  • Rein organischer Thermoplast → Plasmaätzen mit reinem Sauerstoffplasma möglich
  • Polymer löslich in Aceton und anderen gängigen Lösemitteln → einfache Reinigung

Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

  • High brightness LEDs
  • Photonischen Kristallen
  • Patterned media
  • Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements
  • Microfluidics, bio applications
  • Single layer lift-off
     
Parameter mr-I 7000R mr-I 8000R
Glasübergangstemperatur Tg 50 °C 105 °C
Prägetemperatur 120 °C - 140 °C 150 °C - 180 °C
Prägedruck 20 - 40 bar 20 - 40 bar
Gebrauchsfertige Lösungen für Standardschichtdicken * (3000 U/min)

mr-I 7010R 100nm

mr-I 7020R 200nm

mr-I 7030R 300nm

mr-I 8010R 100nm

mr-I 8020R 200nm

mr-I 8030R 300nm

Verdünnungslösemittel (Thinner) ma-T 1050 ma-T 1050
Resistentfernung ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma

 * Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich

Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

mr-I 7000R Serie

Thermische Nanoimprint-Lithographie

T-NIL Resist mit niedriger Glasübergangstemperatur (Tg = 55 °C) für niedrige Prägetemperaturen

Merkmale

  • Erleichterte Stempeltrennung durch ein integriertes fluoriertes Additiv
  • Rein organischer Thermoplast → Plasmaätzen mit reinem Sauerstoffplasma möglich
  • Polymer löslich in Aceton und anderen gängigen Lösemitteln → einfache Reinigung

Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

  • High brightness LEDs
  • Photonischen Kristallen
  • Patterned media
  • Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements
  • Microfluidics, bio applications
  • Single layer lift-off
     
Parameter mr-I 7000R mr-I 8000R
Glasübergangstemperatur Tg 55 °C 115 °C
Prägetemperatur 120 °C - 140 °C 150 °C - 180 °C
Prägedruck 20 - 40 bar 20 - 40 bar
Gebrauchsfertige Lösungen für
Standardschichtdicken *
(3000 rpm)

mr-I 7010R 100nm

mr-I 7020R 200nm

mr-I 7030R 300nm

mr-I 8010R 100nm

mr-I 8020R 200nm

mr-I 8030R 300nm

Verdünnungslösemittel (Thinner) ma-T 1050 ma-T 1050
Resistentfernung ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma

* Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich   

Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich