ma-N 400 Serie & ma-N 1400 Serie

UV-Lithographie (Breitband und i-Linen-Belichtung)

Single layer lift-off Strukturierung, konventionelle Strukturübertragungsprozesse

Merkmale

  • Einstellbares Resistprofil: vertikal bis unterschnitten
  • Hohe thermische Stability der Resiststrukturen
  • Hohe Nass- und Trockenätzstabilität
  • Wässrig-alkalisch entwickelbar
  • Leicht entfernbar

ma-N 400: Thermische Stabilität bis 110 °C für Aufdampfprozesse

ma-N 1400: Thermische Stabilität bis 160°C für Aufdampf- und Sputterprozesse

Anwendungen

  • Maske für Lift-off Prozesse
  • Ätzmaske für Halbleiter und Metalle
  • Maske für Ionenimplantationsprozesse

ma-N 400

Resist    Schichtdicke @ 3000 rpm
ma-N 405 0,5 µm
ma-N 415    1,5 µm
ma-N 420    2,0 µm
ma-N 440    4,1 µm
ma-N 490 7,5 µm

 ma-N 1400

Resist Schichtdicke @ 3000 rpm
ma-N 1405 0,5 µm
ma-N 1407    0,7 µm
ma-N 1410    1,0 µm
ma-N 1420    2,0 µm
ma-N 1440 4,0 µm

Sie erhalten unsere Negativ-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1,0 l • 2,5 l • 5,0 l (Prozesschemikalien)

Haftvermittler: • 100 ml • 0,25 l • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner: • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

mr-UVCur21 Serie

Photo-Nanoimprint-Lithographie

mr-UVCur21 ist ein reiner photo-härtender NIL Resist mit ausgesprochen guter Ätzstabilität

Merkmale

  • Niedrigviskose Resistformulierung, schnelle Füllung der Stempelkavitäten
  • Schnelle Photovernetzung bei geringer UV-Intensität, kurze Imprintzyklen
  • 100% organisch, Rückstandsfreie Entfernung mit Sauerstoffplasma möglich

Anwendungen

Herstellung von Nanostrukturen für z.B

  • Mikroelektronische Bauteile
  • Data storage (bit patterned media)
  • Nano-optische Bauteile
  • Photonische Kristalle
  • Hardmask für die Strukturübertragung (nasschemisch oder Trockenätzen)
  • Lift-off in Kombination mit z.B. LOR (MCC, USA)
     

mr-UVCur21 Versionen

Schichtdicke *

mr-UVCur21-100nm

100 nm

mr-UVCur21-200nm

200 nm

mr-UVCur21-300nm

300 nm

mr-UVCur21SF

1,7 µm

* Andere Schichtdicken auf Anfrage verfügbar   

Sie erhalten unsere NIL-Polymere in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

mr-NIL 6000E Serie

Kombinierte thermische- und Photo-Nanoimprint-Lithographie

mr-NIL 6000E ist ein photo-härtender thermoplastischer NIL Resist, der nach Prägen und Belichten eine ausgesprochene Strukturtreue unter thermischer Belastung aufweist

Merkmale

  • Hohe thermische Strukturstabilität in nachgelagerten Prozessen durch die thermische Vernetzung/Aushärtung während des Imprintens
  • Rein organischer Thermoplast → Plasmaätzen und stripping mit reinem Sauerstoffplasma möglich

Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

  • High brightness LEDs
  • Photonischen Kristallen
  • Patterned media
  • Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements
     

mr-NIL 6000E Versionen

Schichtdicke *

mr-NIL 6000.1E

100 nm

mr-NIL 6000.2E 200 nm
mr-NIL 6000.3E 300 nm

* Andere Schichtdicken auf Anfrage verfügbar 

Sie erhalten unsere NIL-Polymere in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

mr-I 9000M Serie

Thermische Nanoimprint-Lithographie

Thermisch härtender NIL Resist (Thermoset - keine verbleibende Glasübergangsstufe nach dem Imprinten)

Merkmale

  • Hohe thermische Strukturstabilität bis 250 °C (durch einen zweistufigen Imprintprozess) in nachgelagerten Prozessen durch die thermische Vernetzung/Aushärtung während des Imprintens (keine verbleibende Glasübergangsstufe nach dem Imprinten)
  • Rein organischer Resist → Plasmaätzen mit reinem Sauerstoffplasma möglich

Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

  • High brightness LEDs
  • Photonischen Kristallen
  • Patterned media
  • Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements
     

mr-I 9000M Versionen *

Schichtdicken *

mr-I 9010M

100 nm

mr-I 9020M 200 nm
mr-I 9030M 300 nm
mr-I 9050M 500 nm
mr-I 9100M 1.0 µm

* Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich   

Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)
     
  • Passender Verdünner: ma-T 1045
  • Resistentfernung: ma-T1045, Sauerstoffplasma
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

mr-I 7000R Serie

Thermische Nanoimprint-Lithographie

T-NIL Resist mit niedriger Glasübergangstemperatur (Tg = 55 °C) für niedrige Prägetemperaturen

Merkmale

  • Erleichterte Stempeltrennung durch ein integriertes fluoriertes Additiv
  • Rein organischer Thermoplast → Plasmaätzen mit reinem Sauerstoffplasma möglich
  • Polymer löslich in Aceton und anderen gängigen Lösemitteln → einfache Reinigung

Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

  • High brightness LEDs
  • Photonischen Kristallen
  • Patterned media
  • Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements
  • Microfluidics, bio applications
  • Single layer lift-off
     
Parameter mr-I 7000R mr-I 8000R
Glasübergangstemperatur Tg 55 °C 115 °C
Prägetemperatur 120 °C - 140 °C 150 °C - 180 °C
Prägedruck 20 - 40 bar 20 - 40 bar
Gebrauchsfertige Lösungen für
Standardschichtdicken *
(3000 rpm)

mr-I 7010R 100nm

mr-I 7020R 200nm

mr-I 7030R 300nm

mr-I 8010R 100nm

mr-I 8020R 200nm

mr-I 8030R 300nm

Verdünnungslösemittel (Thinner) ma-T 1050 ma-T 1050
Resistentfernung ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma

* Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich   

Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich