mr-I PMMA35k Serie

Thermische Nanoimprint-Lithographie

T-NIL Resist (Tg = 105 °C) für grundlegende NIL-Versuche

Merkmale

  • Gutes Imprintverhalten
  • Einfache Reinigung mit gängigen Lösemitteln

Anwendungen

  • Grundlegende Untersuchungen
     

mr-PMMA Version *

Schichtdicke *

mr-I PMMA35k-100nm 100 nm
mr-I PMMA35k-300nm 300 nm
mr-I PMMA35k-500nm 500 nm

* Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen  

Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)
  • Passender Verdünner: ma-T 1050

  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

mr-I T85 Serie

Thermische Nanoimprint-Lithographie

T-NIL Resist (Tg = 85 °C) aus Cyclo-Olefin-Copolymer (TOPAS) mit höchster optischer Transparenz im UV/vis-Bereich und ausgeprägter chemischer Stabilität gegen Lösemittel, Säuren und Laugen

Merkmale

  • Erleichterte Stempeltrennung durch ein integriertes fluoriertes Additiv
  • Schichten bis 5 µm für die Herstellung von mikrofluidischen oder „Lab-on-chip“ Bauteilen applizierbar
  • Rein organischer Thermoplast → Plasmaätzen mit reinem Sauerstoffplasma möglich
  • mit höchster optischer Transparenz im UV/vis-Bereich und ausgeprägter chemischer Stabilität gegen Lösemittel, Säuren und Laugen

Anwendungen

Lab-on-chip Bauteile

  • Biofluidische Bauteile
  • Mikrofluidik
  • Mikrooptische Bauelemente
  • Wellenleiter
  • Ein- und Mehrschichtbauteile
  • Ätzmaske für die Strukturübertragung
     
Material- und Imprintparamter mr-I T85
Glasübergangstemperatur Tg 85 °C
Prägetemperatur 130 – 150 °C
Prägedruck 5 – 20 bar
Gebrauchsfertige Lösungen für
Standard-schichtdicken* (3000 rpm)

mr-I T85-0.3 300 nm

mr-I T85-1.0 1.0 µm

mr-I T85-5.0 5.0 µm

Resistentfernung Sauerstoffplasma

* Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich

Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

mr-I 8000R Serie

Thermische Nanoimprint-Lithographie

T-NIL Resist mit höherer Glasübergangstemperatur (Tg = 115 °C) für bessere Strukturstabilität in nachfolgenden Prozessen

Merkmale

  • Erleichterte Stempeltrennung durch ein integriertes fluoriertes Additiv
  • Rein organischer Thermoplast → Plasmaätzen mit reinem Sauerstoffplasma möglich
  • Polymer löslich in Aceton und anderen gängigen Lösemitteln → einfache Reinigung

Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

  • High brightness LEDs
  • Photonischen Kristallen
  • Patterned media
  • Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements
  • Microfluidics, bio applications
  • Single layer lift-off
     
Parameter mr-I 7000R mr-I 8000R
Glasübergangstemperatur Tg 50 °C 105 °C
Prägetemperatur 120 °C - 140 °C 150 °C - 180 °C
Prägedruck 20 - 40 bar 20 - 40 bar
Gebrauchsfertige Lösungen für Standardschichtdicken * (3000 U/min)

mr-I 7010R 100nm

mr-I 7020R 200nm

mr-I 7030R 300nm

mr-I 8010R 100nm

mr-I 8020R 200nm

mr-I 8030R 300nm

Verdünnungslösemittel (Thinner) ma-T 1050 ma-T 1050
Resistentfernung ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma

 * Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich

Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

mr-I 7000R Serie

Thermische Nanoimprint-Lithographie

T-NIL Resist mit niedriger Glasübergangstemperatur (Tg = 55 °C) für niedrige Prägetemperaturen

Merkmale

  • Erleichterte Stempeltrennung durch ein integriertes fluoriertes Additiv
  • Rein organischer Thermoplast → Plasmaätzen mit reinem Sauerstoffplasma möglich
  • Polymer löslich in Aceton und anderen gängigen Lösemitteln → einfache Reinigung

Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

  • High brightness LEDs
  • Photonischen Kristallen
  • Patterned media
  • Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements
  • Microfluidics, bio applications
  • Single layer lift-off
     
Parameter mr-I 7000R mr-I 8000R
Glasübergangstemperatur Tg 55 °C 115 °C
Prägetemperatur 120 °C - 140 °C 150 °C - 180 °C
Prägedruck 20 - 40 bar 20 - 40 bar
Gebrauchsfertige Lösungen für
Standardschichtdicken *
(3000 rpm)

mr-I 7010R 100nm

mr-I 7020R 200nm

mr-I 7030R 300nm

mr-I 8010R 100nm

mr-I 8020R 200nm

mr-I 8030R 300nm

Verdünnungslösemittel (Thinner) ma-T 1050 ma-T 1050
Resistentfernung ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma

* Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich   

Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

ma-P 1200

UV-Lithographie

ma-P 1200 ist eine Positiv-Photoresist-Serie für die Anwendung in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik. Die Resiste sind in einer Reihe unterschiedlicher Viskositäten erhältlich für Schichtdicken von 0,3 – 40 μm in einem Schleuderbeschichtungsschritt

Merkmale

  • Breitband-, g-, h- und i-Linien-Belichtung
  • Gute Strukturstabilität in Nassätzprozessen und sauren und alkalischen Galvanikbädern
  • Hohe Stabilität in Trockenätzprozesse z.B. mit CHF3, CF4, SF6
  • Wässrig-alkalische Entwicklung

Anwendungen

  • Ätzmaske z.B. für Si, SiO2, andere Halbleiter, Metalle
  • Maske für die Ionenimplantation
  • Form für die Galvanik
     
Resist

Schichtdicke @ 3000 rpm

ma-P 1205

0,5 µm

ma-P 1210

1,0 µm

ma-P 1215

1,5 µm

ma-P 1225

2,5 µm

ma-P 1240

4,0 µm

ma-P 1275

7,5 µm

Sie erhalten unsere Positiv-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1,0 l • 2,5 l • 5,0 l (Prozesschemikalien)

HMDS Primer: • 100 ml • 0,25 l • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner:  • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

ma-P 1275G

Grauton-Lithographie

ma-P 1275G ist ein dicker, speziell für die Grautonlithographie entwickelter Positiv-Photoresist.

Merkmale

  • Verringerter Kontrast
  • Schichtdicken bis 60 µm und höher
  • Für Belichtung bei 350…450 nm (z.B. Laserdirektschreiben)
  • Laserbelichtung mit hoher Intensität ohne Ausgasen möglich
  • 50…60 µm Strukturtiefe möglich
  • Wässrig-alkalische Entwicklung mit TMAH-Entwicklern
  • Gut geeignet für die Strukturübertragung mittels UV-Abformung, (PVD und) Galvanik, Ätzen

Anwendungen

Anwendung der hergestellten 3D Strukturen in der Mikro-Optik, in MEMS und MOEMS, in Displays

Strukturübertragung durch

  • UV-Abformung
  • Ätzen
  • Galvanik

Sie erhalten unsere Positiv-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1,0 l • 2,5 l • 5,0 l (Prozesschemikalien)

HMDS Primer: • 100 ml • 0,25 l • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner: • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)