Photoresiste für UV (Mask Aligner, Laser)/ Elektronenstrahl- und Tief-UV-Lithographie

  • Geeignet für Breitband- und i-Linien-Belichtung, Tief-UV- oder Elektronenstrahlbelichtung,  oder Laserdirektschreiben @ 405 nm
  • Lift-off Resiste mit einstellbarem Kantenprofil, hohe Temperaturstabilität bis zu 160 °C
  • ​Verschiedene Viskositäten für unterschiedliche Schichtdicken in einem Schleuderbeschichtungsschritt
     
  • Für die Strukturübertragung: Physical vapour deposition (PVD) und Lift-off als Einschichtsystem, Ätzmaske, Galvanikform 
  • Für die Permanentanwendung: Polymerbasierte Wellenleiter
  • Anwendung in Mikrosystemtechnik, Mikroelektronik, Mikro-Optik - Herstellung von z. B. LEDs, ICs, MEMS, Flachbildschirmen, Glasfaserkommunikations-Bausteinen

Beispiel Technologie Anwendung PDF Details
UV-Lithographie (Breitband und i-Linen-Belichtung) Lift-off Strukturierung SM & MM Wellenleiterherstellung
Elektronenstrahl-/ Tief-UV-Lithographie Ätzmaske
Laserdirektschreiben @ 405 nm Templateherstellung, Ätzmaske, Galvanoform
Prozesschemikalien Verdünner, Haftvermittler, Entwickler, Remover