Positiv-Photoresiste für die UV-Lithographie (Mask Aligner-, Laser-, Grauton-Belichtung)

  • Verschiedene Viskositäten für 0,3 µm - 60 µm Schichtdicke in einem Schleuderbeschichtungsschritt
  • Geeignet für Breitband-, g-Linien- , h-Linien-oder i-Linien-Belichtung, Laser-Direktschreiben bei 350…450 nm
  • Kein Post Exposure Bake
  • Leichte Entfernbarkeit
     
  • Für die Strukturübertragung: Ätzmaske, Galvanikform, Form für die UV-Abformung
  • Anwendung in Mikrosystemtechnik, Mikroelektronik, Mikro-Optik – Herstellung von z.B. MEMS, LEDs, IC-Bausteinen, MOEMS, Glasfaserkommunikations-Bausteinen, Flachbildschirmen
Beispiel Technologie Anwendung PDF Details
UV-Lithographie Mikroelektronik/ Mikrosystemtechnik
Grauton-Lithographie 3D Strukturen in Mikro-Optik, MEMS und MOEMS, Displays
Prozesschemikalien Verdünner, Haftvermittler, Entwickler, Remover