T-NIL Resist (Tg = 63 °C) mit einem Anteil an polymergebundenem Silizium von 10 % für die Anwendung in Zweischichtsystemen zur Realisierung sehr hoher Aspektverhältnisse nach der Strukturübertragung mittels Trockenätzverfahren

Merkmale

  • Auftragung durch Schleuderbeschichtung auf die zugehörige Unterschicht UL1
  • Sehr hohe Plasmaätzresistenz bei geeigneten Prozessparametern durch Siliziumgehalt von 10 %
  • Gute Entformcharakteristik durch ein integriertes Additiv

Anwendungen

  • Herstellung von Nano- und Mikrometerstrukturen mit anspruchsvollem Aspektverhältnis >>3
  • Patterned sapphire substrates (PSS) für die Herstellung von Hochleistungs-LEDs
  • Micro- bzw. Nanostrukturen für Nanofluidische Bauteile, beispielsweise DNA Elektrophorese
  • Herstellung von photonischen Kristallen

Unsere Standardschichtdicken

SIPOL Version SIPOL Schichtdicken *
SIPOL-100nm 100nm
SIPOL-200nm 200nm

* Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich 

Empfohlene Prozessparameter

Verfahrensablauf Processparameter
Aufschleudern 3000 U min-1 für 30 s
Softbake Bedingungen 100 °C für 2 min
Prägetemperatur 100-130 °C
Prägedruck 10-30 bar
Prägezeit 1-5 min

Entformungstemperatur

20-50 °C
Verdünnungslösemittel (Thinner) ma-T 1050
Removerlösemittel ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma

Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)
  • Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

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