ma-P 1275G ist ein dicker, speziell für die Grautonlithographie entwickelter Positiv-Photoresist.

Merkmale

  • Verringerter Kontrast
  • Schichtdicken bis 60 µm und höher
  • Für Belichtung bei 350…450 nm (z.B. Laserdirektschreiben)
  • Laserbelichtung mit hoher Intensität ohne Ausgasen möglich
  • 50…60 µm Strukturtiefe möglich
  • Wässrig-alkalische Entwicklung mit TMAH-Entwicklern
  • Gut geeignet für die Strukturübertragung mittels UV-Abformung, (PVD und) Galvanik, Ätzen

Anwendungen

Anwendung der hergestellten 3D Strukturen in der Mikro-Optik, in MEMS und MOEMS, in Displays

Strukturübertragung durch

  • UV-Abformung
  • Ätzen
  • Galvanik

Sie erhalten unsere Positiv-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1,0 l • 2,5 l • 5,0 l (Prozesschemikalien)

HMDS Primer: • 100 ml • 0,25 l • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner: • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

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