ma-P 1200 ist eine Positiv-Photoresist-Serie für die Anwendung in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik. Die Resiste sind in einer Reihe unterschiedlicher Viskositäten erhältlich für Schichtdicken von 0,3 – 40 μm in einem Schleuderbeschichtungsschritt

Merkmale

  • Breitband-, g-, h- und i-Linien-Belichtung
  • Gute Strukturstabilität in Nassätzprozessen und sauren und alkalischen Galvanikbädern
  • Hohe Stabilität in Trockenätzprozesse z.B. mit CHF3, CF4, SF6
  • Wässrig-alkalische Entwicklung

Anwendungen

  • Ätzmaske z.B. für Si, SiO2, andere Halbleiter, Metalle
  • Maske für die Ionenimplantation
  • Form für die Galvanik
     
Resist

Schichtdicke @ 3000 rpm

ma-P 1205

0,5 µm

ma-P 1210

1,0 µm

ma-P 1215

1,5 µm

ma-P 1225

2,5 µm

ma-P 1240

4,0 µm

ma-P 1275

7,5 µm

Sie erhalten unsere Positiv-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1,0 l • 2,5 l • 5,0 l (Prozesschemikalien)

HMDS Primer: • 100 ml • 0,25 l • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner:  • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

Interested in ma-P 1200 ? Contact us!

Kontaktperson
Adresse