mr-DWL Serie – micro resist technology

mr-DWL Serie

Merkmale/ Eigenschaften

Designed für Belichtung mit Wellenlängen oberhalb 400 nm
Geeignet für Laserdirektschreiben (z.B. @ 405 nm) & 2PP
Hohe Empfindlichkeit
Exzellente thermische und chemische Stabilität
Hohe Nass- und Trockenätzstabilität

Anwendungen

Schnelles und kontaktloses Prototyping durch DLW & 2PP
Ätzmaske für Nass- und Trockenätzprozesse
Galvanoform
Form zur Stempelherstellung durch Thermo- oder UV-Replikation
Optische Anwendung in MST

mr-DWL - Negativphotoresistserie

Für Laserdirektschreiben (DLW) @ 405 nm & Zwei-Photonen-Polymerisation (2PP)

Resist	mr-DWL 5	mr-DWL 40	mr-DWL 100
Schichtdicke [µm] @ 1000 - 6000 rpm	3 - 15	10 - 100	20 - 150
dyn. Viskosität [mPas] (@ 25°C)	360 @ 1000 s^-1	5.900 @ 150 s^-1	32.000 @ 40 s^-1
Prebake	90 - 100 °C
Spektrale Empfindlichkeit	350 nm - 410 nm i-line/ h-line
Belichtungsdosis @ 365 nm (Breitbandbelichtung) @ 405 nm	200 - 700 mJ/cm² 100 - 800 mJ/cm²
Post exposure bake (PEB)	75 - 100°C
Entwickler	mr-Dev 600 (lösungsmittelbasiert)
Entferner	mr-Rem 700 (NMP & NEP frei) mr-Rem 500 (NMP frei) O₂-Plasma

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner	kein Verdünner verfügbar
Entwickler	mr-Dev 600 (lösungsmittelbasiert)
Entferner	mr-Rem 700 (NMP & NEP frei) mr-Rem 500 (NMP frei) O2-Plasma

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Negativresist, Hybridpolymere

Mikrooptische 3D-Strukturen mittels Zwei-Photonen-Polymerisation (2PP)

3D Mikrostrukturen mittels Zwei-Photonen-Polymerisation (2PP)

Die Zwei-Photonen-Polymerisation ist eine ausgezeichnete Technik zur Herstellung individueller mikro(optischer) 3D-Strukturen mit OrmoComp® oder mr-DWL, die aufgrund ihrer Komplexität nicht mit konventionellen Lithographieverfahren herstellbar sind.

Negativresiste

Hybridpolymere

Zwei-Photonen-Polymerisation (2PP)

3D Mikrostrukturen

Mikrofluidik und Mikro-Bio-Fluidik

Lab-On-Chip

OrmoComp

mr-DWL

11. Februar 2022

+49 30 641 670 100

info@microresist.de

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