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Merkmale
  • hoher Anteil an fluorierten Komponenten erleichtert die Stempeltrennung und vermindert die Defektrate
  • 100 % organisch, Rückstandsfrei entfernbar mit Sauerstoffplasma
  • Kann mit PGMEA oder ma-T 1050 auf 100nm-Schichtdicke verdünnt werden
  • Niedriger Brechungsindex des gehärteten Materials (RI = 1,40)
Anwendungen
  • NIL bei der sehr niedrige Entformkräfte wichtig sind, beispielsweise Imprints auf einem Mehrschichtsystem
Photo-vernetzbarer NIL Resist, lösungsmittelfrei
Photo-vernetzbarer NIL Resist mit einem hohen Anteil an fluorierten Komponenten

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