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Generell halten ma-P 1200 – Resiste starken Säuren sehr gut stand. In Untersuchungen wurde z.B. gezeigt, dass 2,5 µm dicke ma-P 1225 und 7,5 µm dicke ma-P 1275 – Schichten, beide unter Standardbedingungen verarbeitet, konzentrierte HCL bei 45…50 °C mindestens 10 min problemlos aushalten. Es wurde kein Angriff an der Resistoberfläche beobachtet.
Konzentrierte HF ist jedoch schwierig für alle Photoresiste (vgl. Frage 4).
Auch stark oxidierende Säuren können Probleme verursachen. Die Resiststabilität hängt in diesen Fällen von der Temperatur und der Zusammensetzung des Ätzmittels ab.
Das HF-Ätzen ist sehr anspruchsvoll. HF greift den Resist nicht an. Aber es kann unter den Resist diffundieren und ihn von unten abheben, was eine schlechte Haftung auf dem Substrat verursacht. Darum sollte eine so hohe Schichtdicke wie möglich gewählt werden. Und der Resist sollte stabilisiert werden (stärkerer Prebake und Hardbake). Trotzdem hängt es stark von der HF-Konzentration und der Ätzzeit ab, wie weit der Photoresist dem Ätzen standhält.
In der Literatur ist erwähnt, dass ma-P 1200 für das Ätzen mit gepufferter HF geeignet ist [*].
[*] A. Pozzato, S. Dal Zilio, G. Fois, D. Vendramin, G. Mistura, M. Belotti, Y. Chen, M. Natali, Microelectronic Eng. 83 (2006), 884-888, doi:10.1016/j.mee.2006.01.012
Für Lift-off-Prozesse kann ein Zweischichtsystem angewendet werden. LOR (ein nicht lichtempfindliches Polymer, das von MicroChem Corp. für verschiedene Schichtdicken angeboten wird) kann z.B. als untere Schicht eingesetzt werden. In einem zweiten Schritt wird ein Positivresist, z.B. aus der ma-P 1200 – Serie, als obere Schicht aufgebracht. Während der wässrig-alkalischen Entwicklung werden die belichteten Areale der Positivresistschicht aufgegelöst und ebenso die LOR-Schicht darunter. Das unterschnittene Profil in der unteren Schicht wird durch Variation der Entwicklungszeit und der Prebakebedingungen der LOR-Schicht eingestellt.
Für einige Anwendungen kann der Lift-off mit einem Einschicht-Resist, der kein unterschnittenes Profil ergibt, durchgeführt werden. So wäre z.B. die Verwendung von ma-P 1200 – Resist ohne zusätzliche Unterschicht ausreichend – vorzugsweise in etwas höherer Schichtdicke, um dem Stripper den Angriff an den Resist-Seitenwänden zu ermöglichen. In diesem Fall ist die Qualität der Ränder des abgeschiedenen Metalls geringfügig schlechter als in einem Zweischichtprozess.
Wir empfehlen, „Developer Concentrate” von DOW Electronic Materials für die Entwicklung von Resisten der ma-P 1200 – Serie auf Al oder Al-haltigen Substraten anzuwenden. Der Entwickler kann von unserem Unternehmen bezogen werden. Er enthält Metasilikat, das Al praktisch nicht angreift.
[1] W. Schrott, M. Svoboda, Z. Slouka, D. Šnita, Metal electrodes in plastic microfluidic systems, Microelectronic Engineering, 86 (2009), 1340-1342;
doi: 10.1016/j.mee.2009.01.001
ma-P 1275 dient als Galvanik-Form für Au- und Cu-Strukturen in mikrofluidischen Systemen.
[2] P.W. Leech, G.K. Reeves, A.S. Holland, Reactive ion etching of TiN, TiAlN, CrN and TiCN Films in CF4/O2 and CHF3/O2 Plasmas, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 890 (2006), 0890-Y08-13.1-6;doi: 10.1557/PROC-0890-Y08-13
ma-P 1205 dient als Ätzmaske für das Plasma-Ätzen bei der Herstellung von Stempeln für die Imprintlithographie.
[3] G. Kaltsas, A. Petropoulos, K. Tsougeni, D. N. Pagonis, T. Speliotis, E. Gogolides, A. G. Nassiopoulou, A novel microfabrication technology on organic substrates – Application to a thermal flow sensor, Journal of Physics: Conference Series 92 (2007) 012046; doi:10.1088/1742-6596/92/1/012046
ma-P 1275 wird in einem Lift-off-Prozess mit Pt-Abscheidung genutzt bei der Herstellung eines thermischen Fluss-Sensors.
[4] J.-C. Galas, D. Bartolo, V. Studer, Active connectors for microfluidic drops on demand, New J. Phys. 11 (2009) 075027;
doi:10.1088/1367-2630/11/7/075027
Nach dem Reflow dient ma-P 1275HV als Form für die Abformung mit PDMS bei der Herstellung aktiver mikrofluidischer Kupplungen.
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micro resist technology ist in Europa zentrale Anlaufstelle für Spezialchemikalien mit Anwendung in der Mikro- und Nanofabrikation. Das Portfolio der eigengefertigten Produkte wird durch den strategischen Vertrieb assoziierter Produkte ergänzt, die durch unsere internationalen Partner hergestellt werden. Hier agieren wir als High-Service-Distributor und bieten dem europäischen Mittelstand ein breites Spektrum an komplementären Produkten aus einer Hand, die sowohl für etablierte als auch für innovative Produktions- und Fertigungsverfahren eingesetzt werden können.
DuPont Electronic Solutions (ehm. DOW Electronic Materials / Rohm and Haas Europe Trading ApS)
Wir bieten Produkte für Semiconductor Technologies, Advanced Packaging und Trockenfilmresiste unseres Partners DuPont an, mit dem wir seit mehr als 20 Jahren zusammenarbeiten.
Kayaku Advanced Materials, Inc. (ehm. MicroChem Corp.)
Wir bieten Photoresiste und Spezialchemikalien für MEMS und Mikroelektonik-Anwendungen unseres Partners Kayaku Advanced Materials an, mit dem wir seit mehr als 20 Jahren zusammenarbeiten.
DJ MicroLaminates, Inc.
Wir bieten Trockenfilmresiste für MEMS, Mikrofluidik und Packaging-Anwendungen unseres Partners DJ MicroLaminates an, mit dem wir seit über zwei Jahren kooperieren.
Trockenfilme sind anwendungsfertige Polymerfilme als Laminat mit einer hohen Schichtdickengenauigkeit und exzellenten Haftungseigenschaften auf verschiedensten Untergründen. Sie sind einfach in der Verarbeitung, foto-strukturierbar und sowohl als zugeschnittene Bögen als auch als Rollenmaterial verfügbar.
Spezielle Funktionsmaterialien aus den Produktgruppen Hybridpolymere, Photoresiste und Nanoimprint Polymere für die Beschichtung und alternative Strukturierung mittels Inkjet-Printing-Verfahren
Resiste für die Nanoimprint-Lithographie (NIL)
Die Nanoimprint Lithographie (NIL) ist eine sehr einfache und kostengünstige Technologie zur Herstellung von Strukturen mit Größen weniger Nanometer, die effizient in einem Prozessschritt auch auf großen Flächen realisiert werden kann. Hauptanwendungsfelder der NIL sind photonische Komponenten, unterschiedliche Bauelemente für die nächste Generation der Verbraucherelektronik, sowie Bio- und Life-Science-Sensoren.
Die micro resist technology GmbH bietet seit 1999 maßgeschneiderte Resistformulierungen für die Nanoimprint-Lithographie (NIL) an. Wir legen dabei besonderen Wert auf herausragende Filmbildungs- und Prägeeigenschaften sowie eine exzellente Plasmaätzstabilität und Strukturtreue. Weiterhin bieten wir hochinnovative Materialien, die eng an dem technischen Fortschritt in der Industrie entwickelt wurden. Wir sind in der Lage unsere Materialien an die Kundenwünsche anzupassen, sowohl in den gewünschten Schichtdicken, als auch in deren intrinsischen Materialeigenschaften. Die Nanoimprint-Resiste werden meist als Ätzmaske zur Strukturübertragung in unterschiedliche Substrate wie Si, SiO2, Al oder Saphir, eingesetzt.
Prinzipiell existieren zwei unterschiedliche NIL-Technologien: die thermische NIL (T-NIL), in der thermoplastische Polymere Verwendung finden, und die Photo-NIL bzw. UV-NIL, in der photo-vernetzbare Formulierungen eingesetzt werden. Mit unserer langjährigen Erfahrung sind wir in der Lage, den für Sie passenden Prozess und das am besten geeignetste Material für Ihre Anwendung zu finden. Kontaktieren Sie uns für tiefergehende Informationen.
micro resist technology bietet ein breites Portfolio an UV-härtbaren Hybridpolymer Produkten für mikrooptische Anwendungen. Durch ihre ausgezeichnete optische Transparenz und hohe thermische Stabilität sind diese besonders geeignet zur Herstellung polymerbasierter optischer Komponenten und Wellenleiter. Die Hauptanwendungsgebiete sind die Herstellung von Mikrolinsen, diffraktiven optischen Elementen (DOE), Gitterstrukturen sowie Singlemode- oder Multimode-Wellenleitern.
OrmoComp®: DE 30 210 075 433; IR 1 091 982 ; TW 100030626; OrmoClear®: DE 30 210 075 434; IR 1 091 359 ; TW 100030628; OrmoStamp®: DE 30 210 075 435; IR 1 092 621 ; TW 100030629; OrmoPrime®: DE 30 210 075 436
Positiv-Photoresiste für die UV-Lithographie (Mask Aligner-, Laser-, Grauton-Belichtung) und Elektronenstrahllithographie
Photoresiste für UV (Mask Aligner, Laser)/ Elektronenstrahl- und Tief-UV-Lithographie