Karriere

mr-P 22G

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Merkmale
  • Verringerter Kontrast
  • Schichtdicke bis 140 µm in Einfachbeschichtung;
    bis 200 µm mit Doppelbeschichtung
  • Sehr geringe Restabsorption nach Belichtung
  • Bis 160 µm Grautonstrukturtiefe möglich
  • Spektrale Empfindlichkeit: 330 – 420 nm (405 nm und höher für sehr tiefe Strukturen)
  • Wässrig-alkalische Entwicklung mit TMAH-basierten Entwicklern

Strukturübertragung:

  • Thermische Abformung mit PDMS und UV-Abformung
    aus der PDMS-Form in OrmoComp® oder
    OrmoClear®FX
  • UV-Abformung mit OrmoStamp®FF und anschließend mit OrmoComp® bzw. OrmoClear®FX
  • Nach Metallisierung geeignet für Galvanik
Positivresist für Grautonlithographie
mr-P 22G ist ein Positiv-Photoresist speziell für die Anforderungen der Grautonlithograpie mit Schichtdicken bis zu 200 µm zur Herstellung von Grautonstrukturen mit einer Tiefe bis zu 160 µm
Empfohlene Prozesschemikalien:
Entwickler mr-D 526/S, ma-D 532/S (TMAH basiert) für Grauton-Lithographie
Entferner mr-Rem 700 (NMP & NEP frei)
mr-Rem 500 (NMP frei)
ma-R 404/S (stark alkalisch)

Angebotsanfrage

500um
Einführung eines neuen ultradicken Grauton-Positiv-Photoresists
09.02.2026
Der Positiv-Photoresist mrP 22G wurde für die Grautonlithografie in ultradicken Resistschichten entwickelt. Der Resist ermöglicht Schichtdicken von 115–140 µm...
Positivresist
Grauton Lithografie
Mikro Optiken
Wafer Level Optiken
2,5D-Masterstrukturen
Direct write lithography
Sehr tiefe 2,5D-Strukturen

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    Resist Alliance

    micro resist technology ist in Europa zentrale Anlaufstelle für Spezialchemikalien mit Anwendung in der Mikro- und Nanofabrikation. Das Portfolio der eigengefertigten Produkte wird durch den strategischen Vertrieb assoziierter Produkte ergänzt, die durch unsere internationalen Partner hergestellt werden. Hier agieren wir als High-Service-Distributor und bieten dem europäischen Mittelstand ein breites Spektrum an komplementären Produkten aus einer Hand, die sowohl für etablierte als auch für innovative Produktions- und Fertigungsverfahren eingesetzt werden können.

    Kayaku Advanced Materials, Inc. (ehm. MicroChem Corp.)
    Wir bieten Photoresiste und Spezialchemikalien für MEMS und Mikroelektonik-Anwendungen unseres Partners Kayaku Advanced Materials an, mit dem wir seit mehr als 20 Jahren zusammenarbeiten.

    DJ MicroLaminates, Inc.
    Wir bieten Trockenfilmresiste für MEMS, Mikrofluidik und Packaging-Anwendungen unseres Partners DJ MicroLaminates an, mit dem wir seit über zwei Jahren kooperieren.

     

    Trockenfilmresiste

    Trockenfilme sind anwendungsfertige Polymerfilme als Laminat mit einer hohen Schichtdickengenauigkeit und exzellenten Haftungseigenschaften auf verschiedensten Untergründen. Sie sind einfach in der Verarbeitung, foto-strukturierbar und sowohl als zugeschnittene Bögen als auch als Rollenmaterial verfügbar.

    • Verfügbar in verschiedenen Dicken
    • UV-vernetzend – wie negativ Fotoresiste
    • Hohe Aspektraten möglich
    • Senkrechte Seitenwände
    • Mehrfachlaminierung möglich – bis zu 6 Schichten  komplexe Multilayer-Designs
    • Hohe chemische Resistenz
    • Anwendung als Permanentmaterial für optische Anwendungen (Linsen, Wellenleiter …), in der Mikrofluidik
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    Funktionelle Materialien für Inkjet-Printing

    Spezielle Funktionsmaterialien aus den Produktgruppen Hybridpolymere, Photoresiste und Nanoimprint Polymere für die Beschichtung und alternative Strukturierung mittels Inkjet-Printing-Verfahren

    • Verfügbar in verschiedenen Viskositäten (einstellbar)
    • Anwendbar in kommerziellen Inkjet-Printing Geräten
    • Ausgerichtet auf stabile Reproduzierbarkeit in der Tropfengeneration
    • UV-aushärtende Formulierungen
    • Anwendung als Permanentmaterial für optische Anwendungen (Linsen, Wellenleiter, optische Koppler, diffraktive Elemente, …)
    • Als Packagingmaterial in der Mikroelektronik
    • Beschichtung / Strukturierung auf Substraten mit Oberflächentopographie 
    • Imprintmaterial in der Nanostrukturierung mit hoher Dosiergenauigkeit
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    Nanoimprint-Resiste

    Resiste für die Nanoimprint-Lithographie (NIL)

    Die Nanoimprint Lithographie (NIL) ist eine sehr einfache und kostengünstige Technologie zur Herstellung von Strukturen mit Größen weniger Nanometer, die effizient in einem Prozessschritt auch auf großen Flächen realisiert werden kann. Hauptanwendungsfelder der NIL sind photonische Komponenten, unterschiedliche Bauelemente für die nächste Generation der Verbraucherelektronik, sowie Bio- und Life-Science-Sensoren.

    Die micro resist technology GmbH bietet seit 1999 maßgeschneiderte Resistformulierungen für die Nanoimprint-Lithographie (NIL) an. Wir legen dabei besonderen Wert auf herausragende Filmbildungs- und Prägeeigenschaften sowie eine exzellente Plasmaätzstabilität und Strukturtreue. Weiterhin bieten wir hochinnovative Materialien, die eng an dem technischen Fortschritt in der Industrie entwickelt wurden. Wir sind in der Lage unsere Materialien an die Kundenwünsche anzupassen, sowohl in den gewünschten Schichtdicken, als auch in deren intrinsischen Materialeigenschaften. Die Nanoimprint-Resiste werden meist als Ätzmaske zur Strukturübertragung in unterschiedliche Substrate wie Si, SiO2, Al oder Saphir, eingesetzt.

    Prinzipiell existieren zwei unterschiedliche NIL-Technologien: die thermische NIL (T-NIL), in der thermoplastische Polymere Verwendung finden, und die Photo-NIL bzw. UV-NIL, in der photo-vernetzbare Formulierungen eingesetzt werden. Mit unserer langjährigen Erfahrung sind wir in der Lage, den für Sie passenden Prozess und das am besten geeignetste Material für Ihre Anwendung zu finden. Kontaktieren Sie uns für tiefergehende Informationen.

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    Hybridpolymere

    micro resist technology bietet ein breites Portfolio an UV-härtbaren Hybridpolymer Produkten für mikrooptische Anwendungen. Durch ihre ausgezeichnete optische Transparenz  und hohe thermische Stabilität sind diese besonders geeignet zur Herstellung polymerbasierter optischer Komponenten und Wellenleiter. Die Hauptanwendungsgebiete sind die Herstellung von Mikrolinsen, diffraktiven optischen Elementen (DOE), Gitterstrukturen sowie Singlemode- oder Multimode-Wellenleitern.

    OrmoComp®: DE 30 210 075 433; IR 1 091 982 ; TW 100030626; OrmoClear®: DE 30 210 075 434; IR 1 091 359 ; TW 100030628; OrmoStamp®: DE 30 210 075 435; IR 1 092 621 ; TW 100030629; OrmoPrime®: DE 30 210 075 436

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    Positive Photoresiste

    Positiv-Photoresiste für die UV-Lithographie (Mask Aligner-, Laser-, Grauton-Belichtung) und Elektronenstrahllithographie

    • Verschiedene Viskositäten für 0,1 µm – 60 µm Schichtdicke in einem Schleuderbeschichtungsschritt
    • Geeignet für Breitband-, g-Linien- , h-Linien-oder i-Linien-Belichtung, Laser-Direktschreiben bei 350…450 nm und Elektronenstrahllithographie
    • Kein Post Exposure Bake
    • Leichte Entfernbarkeit
       
    • Für die Strukturübertragung: Ätzmaske, Galvanikform, Form für die UV-Abformung
    • Anwendung in Mikrosystemtechnik, Mikroelektronik, Mikro-Optik – Herstellung von z.B. MEMS, LEDs, IC-Bausteinen, MOEMS, Glasfaserkommunikations-Bausteinen, Flachbildschirmen
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    Negative Photoresiste

    Photoresiste für UV (Mask Aligner, Laser)/ Elektronenstrahl- und Tief-UV-Lithographie

    • Geeignet für Breitband- und i-Linien-Belichtung, Tief-UV- oder Elektronenstrahlbelichtung,  oder Laserdirektschreiben @ 405 nm
    • Lift-off Resiste mit einstellbarem Kantenprofil, hohe Temperaturstabilität bis zu 160 °C
    • ​Verschiedene Viskositäten für unterschiedliche Schichtdicken in einem Schleuderbeschichtungsschritt
       
    • Für die Strukturübertragung: Physical vapour deposition (PVD) und Lift-off als Einschichtsystem, Ätzmaske, Galvanikform 
    • Für die Permanentanwendung: Polymerbasierte Wellenleiter
    • Anwendung in Mikrosystemtechnik, Mikroelektronik, Mikro-Optik – Herstellung von z. B. LEDs, ICs, MEMS, Flachbildschirmen, Glasfaserkommunikations-Bausteinen
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