Mikroskop- und REM-Aufnahmen der gefertigten Devices, i-line stepper & e-beam belichtet - Mit freundlicher Genehmigung FhG-ENAS/ TUC-ZfM, Germany

Die fortschreitende Miniaturisierung in der Halbleiterindustrie und der Mikrosystemtechnik erfordert die Herstellung von zunehmend kleineren und komplexeren Strukturen mit hohen Anforderungen an die Präzision und Auflösung bis in den Nanometer-Maßstab. Der mix & match Ansatz bzw. die hybride lithographische Strukturierung, welche die Kombination von mindestens zwei verschiedenen Strukturierungstechnologien in einer Resistschicht beinhaltet, ist eine Methode zur Herstellung komplexer Strukturen mit unterschiedlichen Dimensionen im µm bis in den sub-100 nm Maßstab bei gleichzeitig deutlich reduzierter e-beam Schreibzeit und verkürzter Lithographie-Prozesszeit.

Die Verwendung des ma-N 1400, eines klassischen UV-empfindlichen Negativresists, eingesetzt in typischen Strukturübertragungsprozessen z.B. als Ätzmaske in nass- und trockenchemischen Ätzprozessen, wird in einem mix & match Strukturierungsverfahren demonstriert.

Referenzen

10. C. H. Canpolat-Schmidt, G. Heldt, C. Helke, A. Voigt, D. Reuter "Lithographic performance of resist ma-N 1402 in an e-beam/i-line stepper intra-level mix and match approach, SPIE 12472, 37th European Mask and Lithography Conference, 124720J (1 November 2022); doi:10.1117/12.2639447
11. C. Helke, C.H. Canpolat-Schmidt, G. Heldt, S. Schermer, S. Hartmann, A. Voigt, D. Reuter „Intra-level mix and match lithography with electron beam lithography and i-line stepper combined with resolution enhancement for structures below the CD-limit“ Micro and Nano Engineering, Volume 19 (2023) 100189

https://doi.org/10.1016/j.mne.2023.100189

10. J. Thoen, V. Murugesan, A. Pascual Laguna, K. Karatsu, A. Endo, J. J. A. Baselmans „Combined ultraviolet- and electron-beam lithography with Micro-Resist-Technology GmbH ma-N1400 resist“ J. Vac. Sci. Technol. B 40, 052603 (2022); https://doi.org/10.1116/6.0001918

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