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Resist Alliance
Resist Alliance
mr-NIL200 Serie
Nanoimprint Resiste
Trockenätzmaske
Photo-vernetzbarer NIL-Resist
mr-NIL200 ist ein photo-vernetzbarer NIL-Resist der speziell für harte und nicht-permeable Stempelmaterialien entwickelt wurde. Typisches Anwendungsfeld ist der Einsatz als Ätzmaske für den Strukturtransfer bei z.B. photonischen Anwendungen. Für den Einsatz von mr-NIL200 brauchen Sie keinen zusätzlichen Haftvermittler oder Primer.
Merkmale
  • Kein zusätzlicher Haftvermittler oder Primer für die gängigsten Substratoberflächen notwendig (Si, SiO2, Al, Saphir, Cu, unterschiedliche organische Unterschichten wie LOR, UL1, UL3)
  • Härtet vollständig in Gegenwart von Luftsauerstoff
  • Die geringe Viskosität ermöglicht schnelle Strukturfüllung und minimiert mögliche Imprintdefekte in Form von Lufteinschlüssen
Anwendungsbeispiele

Step-and-repeat nanoimprint on pre-spin coated film for the fabrication of integrated optical devices
G Calafiore et al., J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS 14(3), 033506 Link zum Abstract

Efficient fabrication of photonic and optical patterns by imprinting the tailored photo-curable NIL resist «mr-NIL200»
M Messerschmidt et al., Poster, International Conference on Micro & Nano Engineering MNE2018, Copenhagen Link zum Poster

UV-NIL

Resist Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm Empfohlenes Arbeitsstempelmaterial Eigenschaften
mr-NIL200-100nm 100 nicht porös Keine Grundierung erforderlich, RT Prozess
mr-NIL200-200nm 200
mr-NIL200-300nm 300

Schichtdicken und verfügbare Versandeinheiten

Spezifikation Schichtdicken und Versandeinheiten
Unsere ready-to-use-solutions für Standardschichtdicken (3000 rpm) mr-NIL200-100 nm
mr-NIL200-200 nm
mr-NIL200-300 nm
Maßgeschneiderte Schichtdicken nach Bedarf möglich bis zu (3000 rpm) 1 µm
Verfügbare Abfüllungen 250 ml
500 ml
Größere Gebinde nach Rückfrage

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: mr-T 1078
Haftvermittler: Nicht erforderlich
(mr-APS1 bei Bedarf für mr-NIL200 Schichtdicken > 300nm)
Omnicoat (Kayaku Advanced Materials)

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mr-NIL210 Serie
Nanoimprint Resiste
Trockenätzmaske
Photo-vernetzbarer NIL-Resist
mr-NIL210 ist ein rein organischer Photo-NIL-Resist mit ausgezeichneter Ätzstabilität. Er eignet sich insbesondere für die Soft-NIL mit weichen Stempelmaterialien, beispielsweise PDMS.
Merkmale
  • Exzellente Härtungseigenschaften,  selbst bei Anwesenheit von Luftsauerstoff
  • Hervorragende Kompatibilität zu PDMS-Arbeitsstempeln für die Soft-NIL, bevorzugte Anwendung in Kombination mit dem Stempelmaterial UV-PDMS KER-4690 
  • Überragende Ätzstabilität gegenüber unterschiedlichen Substraten wie Silizium, Siliziumdioxid oder Aluminium
  • Rein organischer Resist, komplette Entfernung auch nach dem Härten mit Sauerstoffplasma möglich
Anwendungen
  • Hartmaske für die Strukturübertragung (nasschemisch oder mittels Trockenätzen )
  • Herstellung von Nanostrukturen für z.B.
    • Nano-optische Bauteile, SOEs
    • LEDs, photonische Kristalle
    • Patterned Sapphire Substrates (PSS)
    • Mikroelektronische Bauteile
    • Organische Elektronik (OLED, OPV, OTFT)
    • Speichermedien (bit patterned media)
    • Lift-off in Kombination mit z.B. LOR (MCC, USA)

UV-NIL

Resist Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm Empfohlenes Arbeitsstempelmaterial Eigenschaften
mr-NIL210-100nm 100 poröser weicher Stempel (z.B. PDMS) Hervorragende Filmstabilität, RT Prozess
mr-NIL210-200nm 200
mr-NIL210-500nm 500

Unsere Standardschichtdicken

mr-NIL210 Version Schichtdicke @ 3000 Umin-1*
mr-NIL210-100nm 100 nm
mr-NIL210-200nm 200 nm
mr-NIL210-500nm 500 nm

* Herstellung weiterer Schichtdicken möglich bis 12.5 µm auf Anfrage

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: mr-T 1078
Haftvermittler: mr-APS1, Omnicoat (Kayaku Advanced Materials)

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Angebotsanfrage

mr-NIL212FC Serie
Nanoimprint Resiste
Trockenätzmaske
Photo-vernetzbarer NIL-Resist
mr-NIL212FC ist ein rein organischer Photo-NIL-Resist mit ausgezeichneter Ätzstabilität. Er eignet sich insbesondere für die Soft-NIL mit weichen Stempelmaterialien, beispielsweise PDMS. mr-NIL212FC zeichnet sich in RIE Prozessen in oxidische Materialien durch eine deutlich erhöhte Ätzstabilität im Vergleich zu mr-NIL210 aus.
Merkmale
  • Ausgezeichnete Strukturtreue durch die FC-Technologie (fast curing) für sub-100nm-Strukturen
  • Exzellente Härtungseigenschaften auch bei dem Einsatz von Lichtquellen mit geringer Leistung weit unter 40 mW cm-
  • Hervorragende Kompatibilität zu PDMS-Arbeitsstempeln für die Soft-NIL, bevorzugte Anwendung in Kombination mit dem Stempelmaterial UV-PDMS KER-4690 
  • mr-NIL212FC zeichnet sich in RIE Prozessen in oxidische Materialien durch eine deutlich erhöhte Ätzstabilität im Vergleich zu mr-NIL210 aus
  • Rein organischer Resist, komplette Entfernung auch nach dem Härten mit Sauerstoffplasma möglich
Anwendungen
  • Hartmaske für die Strukturübertragung (nasschemisch oder mittels Trockenätzen )
  • Herstellung von Nanostrukturen für z.B.
    • Nano-optische Bauteile, SOEs
    • LEDs, photonische Kristalle
    • Patterned Sapphire Substrates (PSS)
    • Mikroelektronische Bauteile
    • Organische Elektronik (OLED, OPV, OTFT)
    • Speichermedien (bit patterned media)
    • Lift-off in Kombination mit z.B. LOR (KAM, USA)

UV-NIL

Resist Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm Empfohlenes Arbeitsstempelmaterial Eigenschaften
mr-NIL212FC-100nm 100 gaspermeable weiche Stempel (z.B. PDMS) Hervorragende Filmstabilität, RT Prozess
mr-NIL212FC-200nm 200
mr-NIL212FC-300nm 300

Unsere Standardschichtdicken

mr-NIL212FC Version Schichtdicke @ 3000 Umin-1*
mr-NIL212FC-100nm 100 nm
mr-NIL212FC-200nm 200 nm
mr-NIL212FC-300nm 300 nm

* Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: ma-T 1050
Haftvermittler: mr-APS1, OmniCoat (Kayaku Advanced Materials)

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mr-XNIL26SF
Nanoimprint Resiste
Trockenätzmaske
Photo-vernetzbarer NIL Resist, lösungsmittelfrei
Photo-vernetzbarer NIL Resist mit einem hohen Anteil an fluorierten Komponenten
Merkmale
  • hoher Anteil an fluorierten Komponenten erleichtert die Stempeltrennung und vermindert die Defektrate
  • 100 % organisch, Rückstandsfrei entfernbar mit Sauerstoffplasma
  • Kann mit PGMEA oder ma-T 1050 auf 100nm-Schichtdicke verdünnt werden
  • Niedriger Brechungsindex des gehärteten Materials (RI = 1,40)
Anwendungen
  • NIL bei der sehr niedrige Entformkräfte wichtig sind, beispielsweise Imprints auf einem Mehrschichtsystem

UV-NIL

Resist Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm Empfohlenes Arbeitsstempelmaterial Eigenschaften
mr-XNIL26SF 4,8 nicht porös Hoher Fluorgehalt, geringe Freisetzungskräfte, RT Prozess, niedriger RI, solvent free
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mr-I T85 Serie
Nanoimprint Resiste
Bio-Anwendungen, Lab-on-Chip
Unpolarer thermoplastischer NIL Resist
T-NIL Resist (Tg = 85 °C) aus Cyclo-Olefin-Copolymer (TOPAS) mit höchster optischer Transparenz im UV/vis-Bereich und ausgeprägter chemischer Stabilität gegen Lösemittel, Säuren und Laugen
Merkmale
  • Erleichterte Stempeltrennung durch ein integriertes fluoriertes Additiv
  • Schichten bis 5 µm für die Herstellung von mikrofluidischen oder „Lab-on-chip“ Bauteilen applizierbar
  • Rein organischer Thermoplast → Plasmaätzen mit reinem Sauerstoffplasma möglich
  • mit höchster optischer Transparenz im UV/vis-Bereich und ausgeprägter chemischer Stabilität gegen Lösemittel, Säuren und Laugen
Anwendungen

Lab-on-chip Bauteile

  • Biofluidische Bauteile
  • Mikrofluidik
  • Mikrooptische Bauelemente
  • Wellenleiter
  • Ein- und Mehrschichtbauteile
  • Ätzmaske für die Strukturübertragung

T-NIL

Resist Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm Glasübergangstemperatur Tg [°C] Eigenschaften
mr-I T85-0.3 300 85 hohe chemische und optische Stabilität, hohe Transparenz
mr-I T85-1.0 1000
mr-I T85-5.0 5000

 

Material- und Imprintparamter mr-I T85
Glasübergangstemperatur Tg 85 °C
Prägetemperatur 130 – 150 °C
Prägedruck 5 – 20 bar
Gebrauchsfertige Lösungen für
Standard-schichtdicken* (3000 rpm)		 mr-I T85-0.3 300 nm

mr-I T85-1.0 1.0 µm

mr-I T85-5.0 5.0 µm
Resistentfernung Sauerstoffplasma

* Herstellung weiterer Schichtdicken möglich bis 20 µm auf Anfrage

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mr-I 7000R Serie
Nanoimprint Resiste
Trockenätzmaske
Thermoplastischer NIL Resist
T-NIL Resist mit niedriger Glasübergangstemperatur (Tg = 55 °C) für niedrige Prägetemperaturen
Merkmale
  • Erleichterte Stempeltrennung durch ein integriertes fluoriertes Additiv
  • Rein organischer Thermoplast → Plasmaätzen mit reinem Sauerstoffplasma möglich
  • Polymer löslich in Aceton und anderen gängigen Lösemitteln → einfache Reinigung
  • mr-I 7000R enthält ein fluoriertes Additiv zur Verringerung der Entformkraft bei der Stempeltrennung. mr-I 7000E ohne fluoriertes Additiv ist auf Anfrage weiterhin erhältlich.
Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

  • High brightness LEDs
  • Photonischen Kristallen
  • Patterned media
  • Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements
  • Microfluidics, bio applications
  • Single layer lift-off

T-NIL

Resist Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm Glasübergangstemperatur Tg [°C] Eigenschaften
mr-I 7010R 100 55 Niedriger Tg, hohe Ätzselektivität
mr-I 7020R 200
mr-I 7030R 300

 

Parameter mr-I 7000R mr-I 8000R
Glasübergangstemperatur Tg 55 °C 115 °C
Prägetemperatur 120 °C - 140 °C 150 °C - 180 °C
Prägedruck 5 – 10 bar 20 - 40 bar
Gebrauchsfertige Lösungen für
Standardschichtdicken * (3000 rpm)		 mr-I 7010R 100nm

mr-I 7020R 200nm

mr-I 7030R 300nm

 mr-I 8010R 100nm

mr-I 8020R 200nm

mr-I 8030R 300nm
Verdünnungslösemittel (Thinner) ma-T 1050 ma-T 1050
Resistentfernung ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma

* Herstellung weiterer Schichtdicken möglich bis 5 µm auf Anfrage

Verdünner: ma-T 1050
Entferner: ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma

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Angebotsanfrage

mr-I 8000R Serie
Nanoimprint Resiste
Trockenätzmaske
Thermoplastischer NIL Resist
T-NIL Resist mit höherer Glasübergangstemperatur (Tg = 115 °C) für bessere Strukturstabilität in nachfolgenden Prozessen
Merkmale
  • Erleichterte Stempeltrennung durch ein integriertes fluoriertes Additiv
  • Rein organischer Thermoplast → Plasmaätzen mit reinem Sauerstoffplasma möglich
  • Polymer löslich in Aceton und anderen gängigen Lösemitteln → einfache Reinigung
  • mr-I 8000R enthält ein fluoriertes Additiv zur Verringerung der Entformkraft bei der Stempeltrennung. mr-I 8000E ohne fluoriertes Additiv ist auf Anfrage weiterhin erhältlich.
Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

  • High brightness LEDs
  • Photonischen Kristallen
  • Patterned media
  • Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements
  • Microfluidics, bio applications
  • Single layer lift-off

T-NIL

Resist Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm Glasübergangstemperatur Tg [°C] Eigenschaften
mr-I 8010R 100 115 Hoher Tg, hohe Ätzselektivität
mr-I 8020R 200
mr-I 8030R 300

 

Parameter mr-I 7000R mr-I 8000R
Glasübergangstemperatur Tg 50 °C 105 °C
Prägetemperatur 120 °C - 140 °C 150 °C - 180 °C
Prägedruck 5 - 10 bar 20 - 40 bar
Gebrauchsfertige Lösungen für Standardschichtdicken * (3000 U/min) mr-I 7010R 100nm

mr-I 7020R 200nm

mr-I 7030R 300nm

 mr-I 8010R 100nm

mr-I 8020R 200nm

mr-I 8030R 300nm
Verdünnungslösemittel (Thinner) ma-T 1050 ma-T 1050
Resistentfernung ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma

* Herstellung weiterer Schichtdicken möglich bis 1 µm auf Anfrage

Verdünner: ma-T 1050
Entferner: ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma

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mr-I 9000M Serie
Nanoimprint Resiste
Trockenätzmaske, permanente Nanostrukturen
Thermoset
Thermisch härtender NIL Resist (Thermoset - keine verbleibende Glasübergangsstufe nach dem Imprinten)
Merkmale
  • Hohe thermische Strukturstabilität bis 250 °C (durch einen zweistufigen Imprintprozess) in nachgelagerten Prozessen durch die thermische Vernetzung/Aushärtung während des Imprintens (keine verbleibende Glasübergangsstufe nach dem Imprinten)
  • Rein organischer Resist → Plasmaätzen mit reinem Sauerstoffplasma möglich
  • gute optische Transparenz, kann als permanente Nanostruktur mit hervorragenden thermischen Eigenschaften eingesetzt werden
Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

  • High brightness LEDs
  • Photonischen Kristallen
  • Patterned media
  • Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements

T-NIL

Resist Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm Glasübergangstemperatur Tg [°C] Eigenschaften
mr-I 9010M 100 35 Duroplastisches Material, das während des Druckens aushärtet, übertrifft die Trockenätzstabilität
mr-I 9020M 200
mr-I 9030M 300
mr-I 9050M 500
mr-I 9100M 1000

 

mr-I 9000M Versionen * Schichtdicken *
mr-I 9010M 100 nm
mr-I 9020M 200 nm
mr-I 9030M 300 nm
mr-I 9050M 500 nm
mr-I 9100M 1.0 µm

* Herstellung weiterer Schichtdicken möglich bis 3 µm auf Anfrage

– Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: ma-T 1045
Entferner: ma-T1045, Sauerstoffplasma

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mr-NIL 6000E Serie
Nanoimprint Resiste
Trockenätzmaske
Photo-vernetzbarer thermoplastischer NIL Resist
mr-NIL 6000E ist ein photohärtbarer thermoplastischer NIL-Resist, der nach dem Imprint und Belichten eine ausgezeichnete Strukturstabilität in nachfolgenden Prozessen mit einer thermischen Belastung (z. B. RIE) aufweist.
Merkmale
  • Hohe thermische Strukturstabilität in nachgelagerten Prozessen durch die thermische Vernetzung/Aushärtung während des Imprintens
  • Rein organischer Thermoplast → Plasmaätzen und stripping mit reinem Sauerstoffplasma möglich
Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

  • High brightness LEDs
  • Photonischen Kristallen
  • Patterned media
  • Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements

UV-NIL

Resist Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm Empfohlenes Arbeitsstempelmaterial Eigenschaften
mr-NIL 6000.1E 100 alle Stempelmaterialien Kein Primer erforderlich, Epoxy-System, Imprint bei 70 ° C.
mr-NIL 6000.2E 200
mr-NIL 6000.3E 300

 

mr-NIL 6000E Versionen Schichtdicke *
mr-NIL 6000.1E 100 nm
mr-NIL 6000.2E 200 nm
mr-NIL 6000.3E 300 nm

* Herstellung weiterer Schichtdicken möglich bis 6 µm auf Anfrage

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: ma-T 1045

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SIPOL Serie
Nanoimprint Resiste
Trockenätzmaske für großes Aspektverhältnis
Siliziumhaltiger thermoplastischer NIL Resist
T-NIL Resist (Tg = 63 °C) mit einem Anteil an polymergebundenem Silizium von 10 % für die Anwendung in Zweischichtsystemen zur Realisierung sehr hoher Aspektverhältnisse nach der Strukturübertragung mittels Trockenätzverfahren
Merkmale
  • Auftragung durch Schleuderbeschichtung auf die zugehörige Unterschicht UL1
  • Sehr hohe Plasmaätzresistenz bei geeigneten Prozessparametern durch Siliziumgehalt von 10 %
  • Gute Entformcharakteristik durch ein integriertes Additiv
Anwendungen
  • Herstellung von Nano- und Mikrometerstrukturen mit anspruchsvollem Aspektverhältnis >>3
  • Patterned sapphire substrates (PSS) für die Herstellung von Hochleistungs-LEDs
  • Micro- bzw. Nanostrukturen für Nanofluidische Bauteile, beispielsweise DNA Elektrophorese
  • Herstellung von photonischen Kristallen

T-NIL

Resist Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm Glasübergangstemperatur Tg [°C] Eigenschaften
SIPOL-60nm 60 63 Siliziumhaltiger Resist, kann im Doppelschicht-Ansatz eine in-situ SiO2-Hartmaske bilden
SIPOL-100nm 100
SIPOL-200nm 200

Unsere Standardschichtdicken

SIPOL Version SIPOL Schichtdicken *
SIPOL-100nm 100nm
SIPOL-200nm 200nm

* Herstellung weiterer Schichtdicken möglich bis 1.5 µm auf Anfrage

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: ma-T 1050
Entferner: ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma
Transfer layer: UL1 Serie

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mr-I PMMA35k Serie
Nanoimprint Resiste
Grundlegende Untersuchungen
Thermoplastischer NIL Resist
T-NIL Resist (Tg = 105 °C) für grundlegende NIL-Versuche
Merkmale
  • Gutes Imprintverhalten
  • Einfache Reinigung mit gängigen Lösemitteln
Anwendungen
  • Grundlegende Untersuchungen

T-NIL

Resist Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm Glasübergangstemperatur Tg [°C] Eigenschaften
mr-I PMMA35k-100nm 100 105 Prozessevaluierung
mr-I PMMA35k-300nm 300
mr-I PMMA35k-500nm 500

 

mr-PMMA Version * Schichtdicke *
mr-I PMMA35k-100nm 100 nm
mr-I PMMA35k-300nm 300 nm
mr-I PMMA35k-500nm 500 nm

* Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen

Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich.

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: ma-T 1050

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UV-curable liquid silicone rubber / UV-PDMS
Nanoimprint Resiste
Weicher Arbeitsstempel
Distribution for european markets now

micro resist technology GmbH is providing a new selection of UV-curable liquid silicone rubber / UV-PDMS (OEM:Shin-Etsu) for European markets. The UV-PDMS can be used in a wide range of applications, but in particular for the manufacture of soft-molds in replication technologies such as nanoimprint lithography.

There are two different types of UV-PDMS available. The following table provides the general material characteristics of the two different types of UV-PDMS:

General material characteristics of the new UV-PDMS (OEM:Shin-Etsu)

Main advantages by using the new Shin-Etsu UV-PDMS over generic PDMS:

  • Spin-coating for enhanced mold fabrication
  • Faster curing time (e.g. 10 min after UV exposure)
  • High resolution capabilities down 100 nm and smaller
  • 0.02% shrinkage for superb pattern fidelity
KER-4690 (X-34-4184) KER-4691 (X-34-4208)
Appearance (Color Tone) Colorless Milky-white
Appearance (Transparency) Transparent Semitransparent
Viscosity [Pa・s] 2.7 110
Hardness: Durometer type-A 55 42
Elongation at Break [%] 110 400
Tensile Strength [MPa] 7.7 7.0
Tear Propagation Strength (crescent)
[kN/m]		 3.0 17.1
Linear Contraction [%] <0.1 <0.1
Curing Rate* [Min] 20 45
Curing Condition [mJ/cm2] 2000 2000

* TA Instruments ARES-G2, 25℃, 1Hz

Each system consists of two components. After thoroughly mixing the two-component material system (A/B) in equal volume, the liquid mixture compounds can be processed for up to 24 hours by casting, spin-coating or other deposition methods. Due to the photo-sensitivity, the cross-linking (or curing) is initiated by UV-exposure. In contrast to generic PDMS, this allows almost full curing already at room temperature and significantly increases the curing speed (by factor of 100 and more). Furthermore, without the need of an additional thermal curing one can achieve a minimized shrinkage of 0.02%.

 

For detailed information on material properties and process specifications, please get in contact with the unit manager NIL polymers Dr. Mirko Lohse (m.lohse@microresist.de). In case of inquiry request or purchase order, please contact our sales assistant Mrs. Anja Hinz (a.hinz@microresist.de).

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mr-UVCur26SF
Nanoimprint Resiste, Inkjet Materialien
Trockenätzmaske, permanente Nanostrukturen
Photo-vernetzbarer NIL-Resist
mr-UVCur26SF ist ein rein organischer und lösemittelfreier Photo-NIL-Resist entwickelt für die Beschichtung mittels Inkjet-Verfahren. Seine niedrige Viskosität und sehr schnelle Härtung ermöglichen den Einsatz in kontinulierlichen Rolle-zu-Rolle-NIL-Prozessen (R2R-NIL).
Merkmale
  • Beschichtung mittels Inkjet-Dispensierung durch die niedrige Viskosität (15 mPas), beispielsweise für Step-and-Repeat-Verfahren
  • Kein Prebake nach der Substratbeschichtung durch den Verzicht auf Lösemittel
  • Sehr schnelle Härtung in kontinuierlichen Rolle-zu-Rolle-NIL-Prozessen mit hohem Durchsatz, Rollengeschwindigkeit bis zu 30 m/min  erreicht
  • Gute Haftung auf PC- und PET-Substraten
  • Hervorragende Ätzstabilität für Strukturübertragungen in Plasmaätzprozessen
  • Rückstandsfrei entfernbar mit Sauerstoff-Plasma
Anwendungen
  • Hartmaske für die Strukturübertragung (mittels Trockenätzen)
  • Applikation von Nanostrukturen auf Polymerfolien
  • Herstellung von Nanostrukturen für z.B.
    • Nano-optische Bauteile, SOEs
    • Organische Elektronik (OLED, OPV, OTFT)
    • Mikroelektronische Bauteile
    • LEDs, photonische Kristalle
Material Viskosität

[mPas]

 Sauerstoffinhibierung Brechungsindex (589 nm, ausgehärtetes Material) Thermische Stabilität (nach Aushärtung) Anwendungsgebiete
mr-UVCur26SF 15 ± 2

(lösungsmittelfrei)

 Ja 1.518 bis zu 180 °C Ätzmaske, Step & Repeat NIL-Prozesse, large-area structuring of flexible substrates
Alternative Inkjet Materialien:
InkEpo Serie 5 ± 0.3

8 ± 0.5

12 ± 1

25 ± 1

 Nein 1.555 bis zu 180 °C Permanente optische Anwendungen (z. B. Mikrolinsen, Wellenleiter)
InkOrmo Serie 7 ± 1

12 ± 1.5

18 ± 2

 Nein 1.517 – 1.520 bis zu 270 °C Permanente optische Anwendungen (z. B. Mikrolinsen)
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Negative Photoresiste

Photoresiste für UV (Mask Aligner, Laser)/ Elektronenstrahl- und Tief-UV-Lithographie

  • Geeignet für Breitband- und i-Linien-Belichtung, Tief-UV- oder Elektronenstrahlbelichtung,  oder Laserdirektschreiben @ 405 nm
  • Lift-off Resiste mit einstellbarem Kantenprofil, hohe Temperaturstabilität bis zu 160 °C
  • ​Verschiedene Viskositäten für unterschiedliche Schichtdicken in einem Schleuderbeschichtungsschritt
     
  • Für die Strukturübertragung: Physical vapour deposition (PVD) und Lift-off als Einschichtsystem, Ätzmaske, Galvanikform 
  • Für die Permanentanwendung: Polymerbasierte Wellenleiter
  • Anwendung in Mikrosystemtechnik, Mikroelektronik, Mikro-Optik – Herstellung von z. B. LEDs, ICs, MEMS, Flachbildschirmen, Glasfaserkommunikations-Bausteinen
Element 23weqwf

Positive Photoresiste

Positiv-Photoresiste für die UV-Lithographie (Mask Aligner-, Laser-, Grauton-Belichtung) und Elektronenstrahllithographie

  • Verschiedene Viskositäten für 0,1 µm – 60 µm Schichtdicke in einem Schleuderbeschichtungsschritt
  • Geeignet für Breitband-, g-Linien- , h-Linien-oder i-Linien-Belichtung, Laser-Direktschreiben bei 350…450 nm und Elektronenstrahllithographie
  • Kein Post Exposure Bake
  • Leichte Entfernbarkeit
     
  • Für die Strukturübertragung: Ätzmaske, Galvanikform, Form für die UV-Abformung
  • Anwendung in Mikrosystemtechnik, Mikroelektronik, Mikro-Optik – Herstellung von z.B. MEMS, LEDs, IC-Bausteinen, MOEMS, Glasfaserkommunikations-Bausteinen, Flachbildschirmen
Element 23weqwf

Hybridpolymere

micro resist technology bietet ein breites Portfolio an UV-härtbaren Hybridpolymer Produkten für mikrooptische Anwendungen. Durch ihre ausgezeichnete optische Transparenz  und hohe thermische Stabilität sind diese besonders geeignet zur Herstellung polymerbasierter optischer Komponenten und Wellenleiter. Die Hauptanwendungsgebiete sind die Herstellung von Mikrolinsen, diffraktiven optischen Elementen (DOE), Gitterstrukturen sowie Singlemode- oder Multimode-Wellenleitern.

OrmoComp®: DE 30 210 075 433; IR 1 091 982 ; TW 100030626; OrmoClear®: DE 30 210 075 434; IR 1 091 359 ; TW 100030628; OrmoStamp®: DE 30 210 075 435; IR 1 092 621 ; TW 100030629; OrmoPrime®: DE 30 210 075 436

Element 23weqwf

Nanoimprint-Resiste

Resiste für die Nanoimprint-Lithographie (NIL)

Die Nanoimprint Lithographie (NIL) ist eine sehr einfache und kostengünstige Technologie zur Herstellung von Strukturen mit Größen weniger Nanometer, die effizient in einem Prozessschritt auch auf großen Flächen realisiert werden kann. Hauptanwendungsfelder der NIL sind photonische Komponenten, unterschiedliche Bauelemente für die nächste Generation der Verbraucherelektronik, sowie Bio- und Life-Science-Sensoren.

Die micro resist technology GmbH bietet seit 1999 maßgeschneiderte Resistformulierungen für die Nanoimprint-Lithographie (NIL) an. Wir legen dabei besonderen Wert auf herausragende Filmbildungs- und Prägeeigenschaften sowie eine exzellente Plasmaätzstabilität und Strukturtreue. Weiterhin bieten wir hochinnovative Materialien, die eng an dem technischen Fortschritt in der Industrie entwickelt wurden. Wir sind in der Lage unsere Materialien an die Kundenwünsche anzupassen, sowohl in den gewünschten Schichtdicken, als auch in deren intrinsischen Materialeigenschaften. Die Nanoimprint-Resiste werden meist als Ätzmaske zur Strukturübertragung in unterschiedliche Substrate wie Si, SiO2, Al oder Saphir, eingesetzt.

Prinzipiell existieren zwei unterschiedliche NIL-Technologien: die thermische NIL (T-NIL), in der thermoplastische Polymere Verwendung finden, und die Photo-NIL bzw. UV-NIL, in der photo-vernetzbare Formulierungen eingesetzt werden. Mit unserer langjährigen Erfahrung sind wir in der Lage, den für Sie passenden Prozess und das am besten geeignetste Material für Ihre Anwendung zu finden. Kontaktieren Sie uns für tiefergehende Informationen.

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Funktionelle Materialien für Inkjet-Printing

Spezielle Funktionsmaterialien aus den Produktgruppen Hybridpolymere, Photoresiste und Nanoimprint Polymere für die Beschichtung und alternative Strukturierung mittels Inkjet-Printing-Verfahren

  • Verfügbar in verschiedenen Viskositäten (einstellbar)
  • Anwendbar in kommerziellen Inkjet-Printing Geräten
  • Ausgerichtet auf stabile Reproduzierbarkeit in der Tropfengeneration
  • UV-aushärtende Formulierungen
  • Anwendung als Permanentmaterial für optische Anwendungen (Linsen, Wellenleiter, optische Koppler, diffraktive Elemente, …)
  • Als Packagingmaterial in der Mikroelektronik
  • Beschichtung / Strukturierung auf Substraten mit Oberflächentopographie 
  • Imprintmaterial in der Nanostrukturierung mit hoher Dosiergenauigkeit
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Trockenfilmresiste

Trockenfilme sind anwendungsfertige Polymerfilme als Laminat mit einer hohen Schichtdickengenauigkeit und exzellenten Haftungseigenschaften auf verschiedensten Untergründen. Sie sind einfach in der Verarbeitung, foto-strukturierbar und sowohl als zugeschnittene Bögen als auch als Rollenmaterial verfügbar.

  • Verfügbar in verschiedenen Dicken
  • UV-vernetzend – wie negativ Fotoresiste
  • Hohe Aspektraten möglich
  • Senkrechte Seitenwände
  • Mehrfachlaminierung möglich – bis zu 6 Schichten  komplexe Multilayer-Designs
  • Hohe chemische Resistenz
  • Anwendung als Permanentmaterial für optische Anwendungen (Linsen, Wellenleiter …), in der Mikrofluidik
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Resist Alliance

micro resist technology ist in Europa zentrale Anlaufstelle für Spezialchemikalien mit Anwendung in der Mikro- und Nanofabrikation. Das Portfolio der eigengefertigten Produkte wird durch den strategischen Vertrieb assoziierter Produkte ergänzt, die durch unsere internationalen Partner hergestellt werden. Hier agieren wir als High-Service-Distributor und bieten dem europäischen Mittelstand ein breites Spektrum an komplementären Produkten aus einer Hand, die sowohl für etablierte als auch für innovative Produktions- und Fertigungsverfahren eingesetzt werden können.

Kayaku Advanced Materials, Inc. (ehm. MicroChem Corp.)
Wir bieten Photoresiste und Spezialchemikalien für MEMS und Mikroelektonik-Anwendungen unseres Partners Kayaku Advanced Materials an, mit dem wir seit mehr als 20 Jahren zusammenarbeiten.

DJ MicroLaminates, Inc.
Wir bieten Trockenfilmresiste für MEMS, Mikrofluidik und Packaging-Anwendungen unseres Partners DJ MicroLaminates an, mit dem wir seit über zwei Jahren kooperieren.